| 主权项 |
1.一种半导体处理装置,具备在真空处理室内生成电浆的电浆生成装置以及将处理气体导入前述真空处理室内的处理气体供给手段,并对配置于前述真空处理室内的试料施予电浆处理的半导体处理装置,其特征为具备:于该半导体处理装置施加机械的振动的发振手段,以及检测出由该发振手段于前述半导体处理装置所产生的机械的振动的受讯手段。2.一种半导体处理装置,具备在真空处理室内生成电浆的电浆生成装置以及将处理气体导入前述真空处理室内的处理气体供给手段,并对配置于前述真空处理室内的试料施予电浆处理的半导体处理装置,其特征为具备:被设于前述真空处理室内且对前述真空处理室内零件施加机械的振动的发振手段,以及检测出由该发振手段于前述半导体处理装置所产生的机械的振动的受讯手段。3.一种半导体处理装置,具备有在真空处理室内生成电浆的电浆生成装置以及将处理气体导入前述真空处理室内的处理气体供给手段,并对配置于前述真空处理室内的试料施予电浆处理的半导体处理装置,其特征为具备:于该半导体处理装置施加机械的振动的发振手段,以及被设于前述真空处理室内且检测出对前述真空处理室内零件产生的机械的振动的受讯手段。4.一种半导体处理装置,具备有在真空处理室内生成电浆的电浆生成装置以及将处理气体导入前述真空处理室内的处理气体供给手段,并对配置于前述真空处理室内的试料施予电浆处理的半导体处理装置,其特征为具备:于该半导体处理装置施加机械的振动的发振手段,以及检测出由该发振手段于前述半导体处理装置所产生的机械的振动的受讯手段;而且将前述发振手段以及受讯手段并设于前述真空处理室侧壁。5.一种半导体处理装置,具备有在真空处理室内生成电浆的电浆生成装置以及将处理气体导入前述真空处理室内的处理气体供给手段,并对配置于前述真空处理室内的试料施予电浆处理的半导体处理装置,其特征为具备:于该半导体处理装置施加机械的振动的发振手段,以及检测出由该发振手段于前述半导体处理装置所产生的机械的振动的受讯手段,以及解析该受讯手段所受讯的受讯讯号而预测前述真空处理室内之状态的讯号处理手段。6.如申请专利范围第5项之半导体处理装置,其中讯号处理手段具备有保存前述解析结果的资料库。7.如申请专利范围第5项之半导体处理装置,其中讯号处理手段具备有根据前述解析结果发出警报的警报手段。8.一种半导体处理装置,具备有将处理气体导入真空处理室内的处理气体供给手段,并对配置于前述真空处理室内的试料施予处理的半导体处理装置,其特征为具备:于该半导体处理装置施加机械的振动的发振手段,以及检测出由该发振手段于前述半导体处理装置所产生的机械的振动的受讯手段。9.一种半导体处理装置的诊断方法,具备有在真空处理室内生成电浆的电浆生成装置以及将处理气体导入前述真空处理室内的处理气体供给手段,并对配置于前述真空处理室内的试料施予电浆处理的半导体处理装置的诊断方法,其特征为包含:于半导体处理装置施加机械的振动的工程,以及检测出由该工程于前述半导体处理装置所产生的机械的振动的工程。10.一种半导体处理装置的诊断方法,具备有在真空处理室内生成电浆的电浆生成装置以及将处理气体导入前述真空处理室内的处理气体供给手段,并对配置于前述真空处理室内的试料施予电浆处理的半导体处理装置的诊断方法,其特征为包含:被设于前述真空处理室内且对前述真空处理室内零件施加机械的振动的工程,以及检测出由该工程于前述半导体处理装置所产生的机械的振动的工程。11.一种半导体处理装置的诊断方法,具备有在真空处理室内生成电浆的电浆生成装置以及将处理气体导入前述真空处理室内的处理气体供给手段,并对配置于前述真空处理室内的试料施予电浆处理的半导体处理装置的诊断方法,其特征为包含:于半导体处理装置施加机械的振动的工程,以及被设于前述真空处理室内且检测出对前述真空处理室内零件产生的机械的振动的工程。12.一种半导体处理装置的诊断方法,具备有在真空处理室内生成电浆的电浆生成装置以及将处理气体导入前述真空处理室内的处理气体供给手段,并对配置于前述真空处理室内的试料施予电浆处理的半导体处理装置的诊断方法,其特征为包含:于半导体处理装置施加机械的振动的工程,以及检测出由该工程于前述半导体处理装置所产生的机械的振动的工程,以及解析检测出的讯号而预测前述真空处理室内之状态的工程。13.一种半导体处理装置的诊断方法,具备有将处理气体导入前述真空处理室内的处理气体供给手段,并对配置于前述真空处理室内的试料施予处理的半导体处理装置的诊断方法,其特征为包含:于半导体处理装置施加机械的振动的工程,以及检测出由该工程于前述半导体处理装置所产生的机械的振动的工程。14.一种半导体处理装置,具备有将处理气体导入真空处理室内的处理气体供给手段,并对配置于前述真空处理室内的试料施予处理的半导体处理装置,其特征为具备:于半导体处理装置施加机械的振动的复数发振手段,以及检测出由该发振手段于前述半导体处理装置所产生的机械的振动的复数受讯手段,以及解析受讯的受讯讯号而诊断以及预测前述真空处理装置内之状态的讯号处理手段。15.一种半导体处理装置的诊断方法,具备有将处理气体导入真空处理室内的处理气体供给手段,并对配置于前述真空处理室内的试料施予处理的半导体处理装置的诊断方法,其特征为包含:利用复数发振手段于半导体处理装置施加机械的振动的工程,以及利用复数受讯手段检测出由该工程于前述半导体处理装置所产生的机械的振动的工程,以及解析前述受讯讯号而进行特定出前述真空处理装置内有异常产生的地方的工程。16.一种半导体处理装置,具备将处理气体导入真空处理室内的处理气体供给手段,并具有对配置于前述真空处理室内的试料施予处理的手段以及除去前述真空处理装置内的堆积物的手段的半导体处理装置,其特征为具备:于半导体处理装置施加机械的振动的发振手段,以及检测出由该发振手段于前述半导体处理装置所产生的机械的振动的受讯手段,以及解析受讯的受讯讯号而预测前述真空处理装置内之清洗状态的讯号处理手段。17.一种半导体处理装置之清洗状态的诊断方法,具备将处理气体导入真空处理室内的处理气体供给手段,并具有对配置于前述真空处理室内的试料施予处理的手段以及除去前述真空处理装置内的堆积物的手段的半导体处理装置之清洗状态的诊断方法,其特征为包含:于半导体处理装置施加机械的振动的工程,以及检测出由该工程于前述半导体处理装置所产生的机械的振动的工程。图式简单说明:第1图系图示关于本发明第1实施型态的平行平板型电浆蚀刻装置。第2图系说明诊断处理室的组装是否被正常施行的方法的图。第3图系说明第2实施型态的图。第4图系说明盖子的共振频率的推移的图。第5图系说明第3实施型态的图。第6图系说明第4实施型态的图。第7图系说明评价反应生成物的膜的厚度的图。第8图系说明超音波的峰値的时间差的推移的图。第9图系说明使用本发明半导体处理装置进行之半导体处理的程序的图。第10图系说明第5实施型态的图。第11图系说明在处理室的组装为正常的情况下超音波传播的图。第12图系表示在处理室的组装为正常的情况下被设置于处理装置的监视器画面显示状态的图。第13图系说明在处理室的组装不良的情况下超音波传播的图。第14图系表示在处理室的组装不良的情况下被设置于处理装置的监视器画面显示状态的图。第15图系说明关于第6实施型态之平行平板型电浆蚀刻装置的图。第16图系第15图所示蚀刻装置之处理室壁附近的扩大图。第17图系说明使用本发明半导体处理装置进行之乾洗程序的图。 |
