半导体封装件用之强化焊接结构

摘要

一种半导体封装件用之强化焊接结构。设置于晶片上之铝制焊垫上形成有一焊块底部金属化(Under BumpMetallurgy，UBM)结构，并敷设一锡层于该UBM结构上；再者，形成于基板或印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)上之铜制焊垫上敷设有一锡层；使焊球或焊块得焊接至该锡层上以达成电性连接之功效。锡层之设置使焊球或焊块得稳固焊接至焊接结构而不会产生破裂或裂损，俾得确保制成品之信赖性。因此，焊接结构得以紧密排列方式布设，使高密度焊球或焊块植接于该焊接结构上以强化电性连接功能及效率。

主权项

1.一种半导体封装件用之强化焊接结构,系包括:一形成于晶片上之铝制焊垫;一形成于该铝制焊垫上之焊块底部金属化(UnderBump Metallurgy, UBM)结构;以及一敷设于该UBM结构上之锡层,以令该UBM结构夹置于该锡层与该铝制焊垫间,俾供一电性连接元件得焊接至该锡层上。2.如申请专利范围第1项之强化焊接结构,其中,该铝制焊垫系形成于该晶片之作用表面上。3.如申请专利范围第1项之强化焊接结构,其中,该锡层系以纯锡制成。4.如申请专利范围第1项之强化焊接结构,其中,该锡层系以电镀方式敷设。5.如申请专利范围第1项之强化焊接结构,其中,该UBM结构系以至少二层之金属层构成。6.如申请专利范围第5项之强化焊接结构,其中,该金属系选自由铜、镍、钒、金、钨、钛、铬及铝所组成之组群之一者。7.如申请专利范围第1项之强化焊接结构,其中,该电性连接元件系焊球。8.如申请专利范围第1项之强化焊接结构,其中,该电性连接元件系焊块。9.一种半导体封装件用之强化焊接结构,系包括:一形成于晶片承载件上之铜制焊垫;以及一敷设于该钢制焊垫上之锡层,以使一电性连接元件得焊接至该锡层上。10.如申请专利范围第9项之强化焊接结构,其中,该晶片承载件系基板。11.如申请专利范围第9项之强化焊接结构,其中,该晶片承载件系印刷电路板。12.如申请专利范围第9项之强化焊接结构,其中,该锡层系以纯锡制成。13.如申请专利范围第9项之强化焊接结构,其中,该锡层系以电镀方式敷设。14.如申请专利范围第9项之强化焊接结构,其中,该电性连接元件系焊球。15.如申请专利范围第9项之强化焊接结构,其中,该电性连接元件系焊块。图式简单说明:第1图系本发明第一实施例之焊接结构之剖视图;第2A及2B图系第1图焊接结构中之UBM结构之实施例之剖视图;第3图系本发明第二实施例之焊接结构之剖视图;第4A及4B图分别系习知球栅阵列半导体封装件及其焊接结构之剖视图;以及第5A及5B图分别系习知覆晶半导体封装件及其焊接结构之剖视图。