| 主权项 |
1.一种形成金属层的方法,包括下列步骤:提供一基板,具有一已形成有一开口的介电质层形成于该基板上;沉积一金属层以填满该开口;沉积一氧阻障层覆盖该金属层;将已沉积有该金属层和该氧阻障层的该基板移入一暂存储区,等待排程;以及将已沉积有该金属层和该氧阻障层的该基板移出该暂存储区,平坦化该金属层。2.如申请专利范围第1项所述之形成金属层的方法,其中该开口为:介层窗、单镶嵌沟槽、或双镶嵌沟槽。3.如申请专利范围第1项所述之形成金属层的方法,其中该金属层为铜层。4.如申请专利范围第1或3项所述之形成金属层的方法,其中该氧阻障层系以:旋涂法、物理气相沉积法、或化学气相沉积法所形成。5.如申请专利范围第1或3项所述之形成金属层的方法,其中该氧阻障层包括:氮化矽、不含氧原子的低介电系数的介电材料、或上述之任一组合。6.如申请专利范围第1或3项所述之形成金属层的方法,其中该氧阻障层包括:Ta、TaN、W、WN、TaSiN、或上述之任一组合。7.如申请专利范围第1或3项所述之形成金属层的方法,其中平坦化该金属层的制程中,更包含去除该氧阻障层。8.如申请专利范围第1或3项所述之形成金属层的方法,其中该氧阻障层的厚度为100~1000。9.如申请专利范围第1或3项所述之形成金属层的方法,其中该氧阻障层的厚度为300~400。10.一种形成金属层的方法,适用于一半导体金属化制程中在对已沉积的铜层进行平坦化之前的等待时间内,保护该铜层免于受到氧化的方法,包括下列步骤:提供一半导体基板,具有一铜层沉积于该基板上;以及沉积一氧阻障层覆盖该金属层。11.如申请专利范围第10项所述之形成金属层的方法,其中形成该氧阻障层的方法包括:旋涂法、物理气相沉积法、或化学气相沉积法。12.如申请专利范围第10项所述之形成金属层的方法,其中该氧阻障层包括:氮化矽、不含氧原子的低介电系数的介电材料、或上述之任一组合。13.如申请专利范围第10项所述之形成金属层的方法,其中该氧阻障层包括:Ta、TaN、W、WN、或上述之任一组合。14.如申请专利范围第11.12或13项所述之形成金属层的方法,其中该氧阻障层的厚度为100~1000。15.如申请专利范围第11.12或13项所述之形成金属层的方法,其中该氧阻障层的厚度为300~400。图式简单说明:第1~5图为一剖面图,用以说明本发明之一较佳实施例制作金属层的流程与结果,其中:第1图系显示已形成沟槽122.124.126等的介电质层110的半导体基板100;第2图系显示在半导体基板100上沉积一铜层130之步骤;第3图系显示在铜层130的上方形成一氧阻障层140之步骤;第4图系显示氧阻障层140在半导体基板100等待后续的平坦化制程时之等待时间时,有效的阻绝了铜层130与氧分子团160的接触,而避免铜层130因为遭受到氧化而被腐蚀;以及第5图系显示半导体基板100进行平坦化制程之步骤。 |
