| 主权项 |
1.一种半导体封装,包括:(a)提供一封装基材;(b)于该封装基材上形成用于朝一其他装置之安装的一安装端子;(c)于该封装基材上形成与该安装端子电性连接的一配线层;(d)在该封装基材上搭载与该配线层电性连接的一半导体晶片;(e)在该配线层与一塑模树脂层之间、及该封装基材与该塑模树脂层之间形成一低弹性树脂层;以及(f)利用该塑模树脂层封闭该封装基材、该配线层、该半导体晶片及该低弹性树脂层,其中该低弹性树脂层之弹性率低于该塑模树脂层之弹性率。2.如申请专利范围第1项所述之半导体封装,其中该低弹性树脂层仅形成于该配线层与该塑模树脂层之间。3.如申请专利范围第2项所述之半导体封装,其中该低弹性树脂层至少形成于位于该安装端子上之该配线层与该塑模树脂层之间。4.如申请专利范围第3项所述之半导体封装,其中该低弹性树脂层至少形成于位于会发生最大扭曲之该安装端子上之该配线层与该塑模树脂层之间。5.如申请专利范围第1项所述之半导体封装,更包括利用一下充式树脂层封闭该配线层与该半导体晶片之间的电性连接部份。6.一种半导体封装的制造方法,包括:(a)于一封装基材上形成一配线层;(b)于该配线层上与一半导体晶片电性连接;(c)于该封装基材及该配线层上形成一低弹性树脂层,该弹性树脂层之弹性率低于一塑模树脂层之弹性率;以及(d)于该封装基材、该配线层、该半导体晶片及该低弹性树脂层之上形成该塑模树脂层。7.如申请专利范围第6项所述之半导体封装的制造方法,其中该低弹性树脂层仅形成于该配线层与该塑模树脂层之间。8.如申请专利范围第7项所述之半导体封装的制造方法,其中该低弹性树脂层至少形成于位于一安装端子上之该配线层与该塑模树脂层之间。9.如申请专利范围第8项所述之半导体封装的制造方法,其中该低弹性树脂层至少形成于位于会发生最大扭曲之该安装端子上之该配线层与该塑模树脂层之间。10.如申请专利范围第6项所述之半导体封装的制造方法,更包括利用一下充式树脂层封闭该配线层与该半导体晶片之间的电性连接部份。图式简单说明:第1A图至第1B图所示系为习知之半导体封装中,使用下充式树脂,将半导体晶片与配线层之连接部封闭的封装剖面图。其中,第1A图系表示封装单体,第1B图系表示安装状态。第2A图至第2C图所示系为用以说明第1A图至第1B图所示之半导体封装之制造方法的示意图。第3A图至第3B图所示系为习知之半导体封装中,不使用下充式树脂仅使用塑模树脂,将半导体晶片与配线层之连接部封闭的封装剖面图。其中,第3A图系表示封装单体,第3B图系表示安装状态。第4A图至第4C图所示系为用以说明第3A图至第3B图所示之半导体封装之制造方法的示意图。第5A图至第5C图所示系为本发明之第一较佳实施例之半导体封装的剖面图、侧面图及斜视图。其中第5A图所示系为剖面图,第5B图所示系为侧面图,第5C图所示系为斜视图。第6图所示系为第5A图至第5C图所示之半导体封装之安装基板在安装状态下的剖面图。第7A图至第7C图所示系为用以说明第5A图至第5C图所示之半导体封装之制造方法的剖面图。第8A图至第8C图所示系为本发明之第二较佳实施例之半导体封装的剖面图、侧面图及斜视图。其中第8A图所示系为剖面图,第8B图所示系为侧面图,第8C图所示系为斜视图。第9A图至第9C图所示系为本发明之第三较佳实施例之半导体封装的剖面图、侧面图及斜视图。其中第9A图所示系为剖面图,第9B图所示系为侧面图,第9C图所示系为斜视图。第10A图至第10C图所示系为用以说明第9A图至第9C图所示之半导体封装之制造方法的剖面图。第11A图至第11C图所示系为本发明之第四较佳实施例之半导体封装的剖面图及底面图。第12图所示系为本发明之第五较佳实施例之半导体封装的剖面图。 |
