| 主权项 |
1.一种用于互联一对平板式电路之导体的系统,包含:一平板式电路,具有多数被一绝缘膜覆盖之导体,且一开孔形成在该膜上以选择性地暴露出该等导体,并且一层焊接材料涂布在该开孔中之暴露导体上;及一第二平板式电路,具有多数被一绝缘膜覆盖之导体,且一开孔形成在该膜上以选择性地暴露出该等导体,并且一层焊接材料涂布在该开孔中之暴露导体上;藉此,该等开孔可以并置且该等平板式电路互相重叠以便藉一使用该预涂布焊接材料之适当焊接制程来互联该等导体。2.如申请专利范围第1项之系统,其中在至少一平板式电路之绝缘膜中的开孔系位在该电路之远端处。3.如申请专利范围第1项之系统,其中在至少一平板式电路之绝缘膜中的开孔系横跨该电路之宽度且与其一远端向内地分开。4.如申请专利范围第1项之系统,其中在至少一平板式电路之绝缘膜中的开孔包含一被该膜包围之窗。5.如申请专利范围第4项之系统,包括在该膜中呈一预定图案之多数该等窗。6.如申请专利范围第1项之系统,其中该焊接材料包含一层被一层助熔剂覆盖之焊料层。7.如申请专利范围第1项之系统,其中至少一平板式电路包含一平板式挠性电路。8.如申请专利范围第7项之系统,其中该平板式挠性电路包括一平板式挠性基板,而该平板式挠性基板具有该等导体及与其积层之绝缘膜。9.一种用于互联一对平板式电路之导体的系统,包含:一平板式电路基板;多数在该基板上之导体;一绝缘膜,系在该基板上且大致覆盖该等导体,并且具有一在该膜中之开孔以选择性地暴露出在该开孔中之导体;及一层焊接材料,系在该开孔中之暴露导体上,藉此,该开孔可以与一对接导体并置以便藉一使用该预涂布焊接材料之适当焊接制程来互联该等导体。10.如申请专利范围第9项之系统,其中在该绝缘膜中的开孔系位在该电路之远端处。11.如申请专利范围第9项之系统,其中在该绝缘膜中的开孔系横跨该电路之宽度且与其一远端向内地分开。12.如申请专利范围第9项之系统,其中在该绝缘膜中的开孔包含一被该膜包围之窗。13.如申请专利范围第12项之系统,包括在该膜中呈一预定图案之多数该等窗。14.如申请专利范围第9项之系统,其中该焊接材料包含一层被一层助熔剂覆盖之焊料层。15.如申请专利范围第9项之系统,其中该平板式电路基板是可挠的。16.如申请专利范围第15项之系统,其中该平板式电路基板包含一第二绝缘膜。17.一种制造与互联一对平板式电路之导体的方法,包含:提供一第一平板式电路,该第一平板式电路具有多数被一绝缘膜覆盖之导体;在该膜中形成一开孔以选择性地暴露出该等导体;将一层焊接材料涂布在该开孔中之暴露导体上;提供一第二平板式电路,该第二平板式电路具有多数被一绝缘膜覆盖之导体;在该膜中形成一开孔以选择性地暴露出该等导体;将一层焊接材料涂布在该开孔中该第二平板式电路之暴露导体上;使该等平板式电路重叠且其各个绝缘膜中之开孔为并置之状态;及通过该等并置之开孔且使用该预涂布焊接材料焊接该第二平板式电路之导体。18.如申请专利范围第17项之方法,包括将在至少一平板式电路之绝缘膜中的开孔形成在该电路之远端处。19.如申请专利范围第17项之方法,包括将在至少一平板式电路之绝缘膜中的开孔形成为横跨该电路之宽度且与其一远端向内地分开者。20.如申请专利范围第17项之方法,包括将在至少一平板式电路之绝缘膜中的开孔形成为一被该膜包围之窗。21.如申请专利范围第20项之方法,包括将该等多数窗以一预定图案形成在至少一平板式电路之膜中。22.如申请专利范围第17项之方法,包括使该焊接材料具有一层被一层助熔剂覆盖之焊料层。23.如申请专利范围第17项之方法,包括使至少一平板式电路成为一平板式挠性电路。24.如申请专利范围第23项之方法,包括使该平板式挠性电路具有一平板式挠性基板,而该平板式挠性基板具有该等导体及与其积层之绝缘膜。25.一种制造一平板式电路之方法,包含以下步骤:使一平板式电路基板具有多数形成于其上且被一绝缘膜覆盖之导体;及在该膜中形成一开孔以选择性地暴露出该等导体中之至少某些导体;将一层焊接材料涂布在该开孔中之暴露导体上;藉此该开孔可以与一对接导体并置以便藉一使用该预涂布焊接材料之适当焊接制程来互联该等导体。26.如申请专利范围第25项之方法,包括将在该绝缘膜中的开孔形成在该电路之远端处。27.如申请专利范围第25项之方法,包括将在该绝缘膜中的开孔形成为横跨该电路之宽度且与其一远端向内地分开者。28.如申请专利范围第25项之方法,包括将在该绝缘膜中的开孔形成为一被该膜包围之窗。29.如申请专利范围第28项之方法,包括将该等多数窗以一预定图案形成在该膜中。30.如申请专利范围第25项之方法,包括使该焊接材料具有一层被一层助熔剂覆盖之焊料层。31.如申请专利范围第25项之方法,包括使至少一平板式基板成为一平板式挠性基板。32.如申请专利范围第31项之方法,包括使该平板式挠性电路基板成为一第二绝缘膜。图式简单说明:第1图是本新型之平板式电路之部份立体图;第2图是沿着第1图之线2-2所截取之放大截面图;第3图是与一第二平板式电路在一搭接接合点处电气互联之第1图之平板式电路的部份立体图;第4-6图是分别类似于第1-3图之视图,但是是本新型之第二实施例;第7与8图是分别类似于第1与3图之立体图,但是是本新型之第三实施例;第9与10图是分别类似于第1与3图之立体图,但是是本新型之第四实施例;及第11与12图是分别类似于第1与3图之立体图,但是是本新型之第五实施例。 |
