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发明名称 METHOD FOR FORMING A MODIFIED SEMICONDUCTOR HAVING A PLURALITY OF BAND GAPS
摘要
申请公布号 AU2003219638(A1) 申请公布日期 2003.10.20
申请号 AU20030219638 申请日期 2003.04.04
申请人 INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING 发明人 JING, HUA TENG;SOO, JIN CHUA;JIAN, RONG DONG
分类号 H01L21/18;H01L29/12;H01L33/00;H01S5/10;H01S5/16;H01S5/40;(IPC1-7):H01L29/15;H01S5/34 主分类号 H01L21/18
代理机构 代理人
主权项
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