用以制造细微结构之无抗蚀剂微影方法

摘要

本发明系关于一种以制造细微结构之无抗蚀剂微影方法，在载体材料(TM、HM')上形成一半导体光罩层(HM)；以及实施选择性离子植入法(I)，以便掺杂该半导体光罩层(HM)的选择区域(1)。对该半导体光罩层(HM)未被掺杂的区域进行湿式化学移除法之后，便可产生一可供进一步图案化处理使用的半导体光罩。依照本方法可取得一种简单且高精确的无抗蚀剂微影方法，用以制造100nm以下之结构。