半导体装置以及其制造方法

摘要

本发明系提供一种半导体装置以及其制造方法。在集电极开口部上，磊晶生长由Si缓冲层、SiGe隔离层、倾斜SiGe层以及Si覆盖层所构成之Si/SiGe层，同时在氮化膜上之面上和氧化膜以及氮化膜之侧面上沉积多结晶层。此时，通过制成Si缓冲层之后制成SiGe隔离层等膜，确实进行非选择磊晶生长，并在氮化膜上又沉积多结晶层。