<p>Der Magnetfeldsensor besteht aus einem Halbleiter-Magnetfeldsensor, z.B. einem Magnetotransistor und mindestens einem auf dessen Oberfläche angeordneten (NiFe- oder NiCo-Films (9). Dieser Film arbeitet als Nullpunktschalter unter Ausnutzung seiner Magnetinduktion/Magnetfeld-Hystereseschaltkennlinie. Er ist unmittelbar oberhalb der feldempfindlichen Zone (8) des Halbleiter-Magnetfeldsensors aufgetragen, und zwar so, dass seine leichte Achse (10) räumlich senkrecht zu dessen Stromflussrichtung angeordnet ist. Der Halbleiter-Magnetfeldsensor detektiert die durch den Film erzeugte Magnetinduktion.</p>
申请公布号
EP0111698(A2)
申请公布日期
1984.06.27
申请号
EP19830110843
申请日期
1983.10.29
申请人
LGZ LANDIS & GYR ZUG AG
发明人
POPOVIC, RADIVOJE;BALTES, HEINRICH PETER, PROF.;BERCHIER, JEAN-LUC;SOLT, KATALIN;SCHNEIDER, GERNOT;ZAJC, TOMISLAV;LIENHARD, HEINZ