Trenchzelle für ein DRAM-Zellenfeld sowie Herstellungsverfahren hierfür

摘要

Es wird eine Trenchzelle zur Verwendung in einem DRAM-Array vorgestellt, welche einen vertikalen Auswahltranistor von einem ersten Leitfähigkeitstyp an der, in Bitleitungsrichtung gesehen, ersten Seite (41) des Trenchlochs aufweist. Bei der erfindungsgemäßen Trenchzelle ist benachbart zu dem Trenchloch ein oberflächennaher Sperrdotierbereich (55) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp vorgesehen, der dem vertikalen Auswahltransistor gegenüberliegt. Dadurch können Leckströme vermieden und außerdem können die Trenchzellen in geringerem Abstand zueinander angeordnet werden.