发明名称 |
Power transistor module. |
摘要 |
<p>Bei diesem Leistungstransistor-Modul sind mehrere Leistungstransistoren (15), Freilaufdioden (17) sowie ein Treiber-Transistor (16) in einem Gehäuse mit Kunststoff-Rahmen (1) als Gehäusewandung und metallisierter Keramikplatte (5) als Boden integriert. Haupt- und Hilfsanschlüsse sind von der Gehäuseoberseite aus zugänglich. Als Hilfsanschluß ist neben Basis-Anschlüssen (11,13) und einem Hilfsemitter-Anschluß (12) ein Hilfskollektor-Anschluß (10) vorgesehen, der über eine Hilfsdiode (18) mit dem Kollektor (8) des Leistungstransistors verbunden ist. Hierdurch kann das Leistungstransistor-Modul, das in Gleichstromstellern, Gleichspannungswandlern, Wechselrichtern und Antriebsumrichtern eingesetzt werden kann, direkt von einem integrierten Baustein angesteuert werden.</p> |
申请公布号 |
EP0111659(A1) |
申请公布日期 |
1984.06.27 |
申请号 |
EP19830110114 |
申请日期 |
1983.10.11 |
申请人 |
BROWN, BOVERI & CIE AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
NEIDIG, ARNO, DR., DIPL.-PHYS.;LEUKEL, BERND, DIPL.-ING.;BERGMANN, LUTZ, DIPL.-ING. |
分类号 |
H01L25/07;H01L25/18;(IPC1-7):01L25/04;01L23/48 |
主分类号 |
H01L25/07 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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