发明名称 Power transistor module.
摘要 <p>Bei diesem Leistungstransistor-Modul sind mehrere Leistungstransistoren (15), Freilaufdioden (17) sowie ein Treiber-Transistor (16) in einem Gehäuse mit Kunststoff-Rahmen (1) als Gehäusewandung und metallisierter Keramikplatte (5) als Boden integriert. Haupt- und Hilfsanschlüsse sind von der Gehäuseoberseite aus zugänglich. Als Hilfsanschluß ist neben Basis-Anschlüssen (11,13) und einem Hilfsemitter-Anschluß (12) ein Hilfskollektor-Anschluß (10) vorgesehen, der über eine Hilfsdiode (18) mit dem Kollektor (8) des Leistungstransistors verbunden ist. Hierdurch kann das Leistungstransistor-Modul, das in Gleichstromstellern, Gleichspannungswandlern, Wechselrichtern und Antriebsumrichtern eingesetzt werden kann, direkt von einem integrierten Baustein angesteuert werden.</p>
申请公布号 EP0111659(A1) 申请公布日期 1984.06.27
申请号 EP19830110114 申请日期 1983.10.11
申请人 BROWN, BOVERI & CIE AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 NEIDIG, ARNO, DR., DIPL.-PHYS.;LEUKEL, BERND, DIPL.-ING.;BERGMANN, LUTZ, DIPL.-ING.
分类号 H01L25/07;H01L25/18;(IPC1-7):01L25/04;01L23/48 主分类号 H01L25/07
代理机构 代理人
主权项
地址