Halbleiterspeicherzelle und Halbleiterspeichereinrichtung

摘要

Es wird eine Halbleiterspeicherzelle (1) mit einer Feldeffekttransistoreinrichtung (T) und einem ferroelektrischen Speicherkondensator vorgeschlagen. Die Feldeffekttransistoreinrichtung weist einen Kanalbereich (K) mit oder aus einem organischen Halbleitermaterial auf. Neben einer ersten Gateelektrode (G1) der Gateelektrodenanordnung der Feldeffekttransistoreinrichtung (T) ist eine zusätzliche Auswahlgateelektrode (A) vorgesehen, durch welche die Feldeffekttransistoreinrichtung (T) ohne Beeinflussung des Speicherdielektrikums (D) und unabhängig von der ersten Gateelektrode (G1) abschaltbar ist.