| 发明名称 |
Transistoranordnung mit Schirmelektrode außerhalb eines aktiven Zellenfeldes und reduzierter Gate-Drain-Kapazität |
| 摘要 |
Das Schaltverhalten von Transistoranordnungen (1) ist durch eine Schirmelektrode (17) in einem ein aktives Zellenfeld (2) mindestens abschnittsweise umgebenden Randbereich (4) verbessert, wobei durch die Schirmelektrode (17) im Randbereich (4) die Kapazität zwischen einer Rand-Gatestruktur (14) und einer Drain-Zone (16) und damit die Gate-Drain-Kapazität C¶GD¶ der Transistoranordnung (1) reduziert ist.
|
| 申请公布号 |
DE10212149(A1) |
申请公布日期 |
2003.10.16 |
| 申请号 |
DE20021012149 |
申请日期 |
2002.03.19 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
HENNINGER, RALF;HIRLER, FRANZ;KRUMREY, JOACHIM;RIEGER, WALTER;POELZL, MARTIN |
| 分类号 |
H01L29/06;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78;H01L27/105 |
主分类号 |
H01L29/06 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
