| 发明名称 | 用以抑制电感Q值下降的电感式结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用以抑制电感Q值下降的电感式结构，至少包含：护层形成于一绝缘层之上，该绝缘层包含介层窗形成于其中。螺旋主体，位于护层之上且回填于介层窗中，覆盖层覆盖于螺旋主体之上，其中上述的介层窗口面积大于5微米乘以5微米，用以降低介层窗电阻，其中该螺旋主体的厚度约6至26微米之间，用以降低串连电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN1449037A | 申请公布日期 | 2003.10.15 |
| 申请号 | CN02108570.6 | 申请日期 | 2002.04.02 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蔡肇杰;王是琦 |
| 分类号 | H01L27/00;H01L21/82 | 主分类号 | H01L27/00 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 1、一种电感结构，至少包含：护层，形成于一绝缘层之上，该绝缘层包含介层窗形成于其中；螺旋主体，位于该护层之上且回填于该介层窗中；及覆盖层，覆盖于该螺旋主体之上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||