制造铜镶嵌结构的方法

摘要

本发明公开了一种在半导体底材上制作铜镶嵌(damascene)结构的方法。首先，形成介电层于半导体底材上。并蚀刻介电层，以形成开口图案于介电层中，而曝露出部份半导体底材。接着，进行氮化程序以便在开口图案的表面形成氮化表层，以防止后续铜原子的扩散效应。然后，进行化学电镀反应以形成铜层于半导体底材上，且填充于开口图案中。再对半导体底材进行化学机械研磨程序，以移除位于介电层上表面的部份铜层，且定义铜镶嵌结构于开口图案中。随后，形成铜金属矽化层于铜镶嵌结构上表面，而防止铜原子发生扩散效应。

主权项

1.一种制作铜镶嵌结构的方法，该方法至少包括下列步骤：形成介电层于该半导体底材上；蚀刻该介电层，以形成开口图案于该介电层中，并曝露出部份该半导体底材；进行氮化程序以便在该开口图案的表面形成氮化表层，以防止后续铜原子的扩散效应；进行化学电镀(ECP)反应以形成铜层于该半导体底材上，且填充于该开口图案中；对该半导体底材进行化学机械研磨程序，以移除位于该介电层上表面的部份该铜层，且定义铜镶嵌结构于该开口图案中；且形成铜金属矽化层于该铜镶嵌结构上表面，而防止铜原子发生扩散效应。