发明名称 | 镀膜形成方法和镀膜形成装置 | ||
摘要 | 本发明提供了一种镀膜形成方法和镀膜形成装置,这种方法和装置能够在膜形成表面不引起刻痕,提高成品率,能保持稳定放电以连续形成质地均匀、厚度一致的镀膜,镀膜通过沿长度方向连续运送带状基质形成,这样它构成了放电区的一部分,在基质运送过程中,由滚筒将构成放电区一部分的基质的横断面形状改变为弯曲形状。 | ||
申请公布号 | CN1124365C | 申请公布日期 | 2003.10.15 |
申请号 | CN96123838.0 | 申请日期 | 1996.12.20 |
申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 森山公一朗;越前裕;金井正博;大利博和;吉野毫人;保野笃司;吉田耕平;宫本祐介 |
分类号 | C23C16/54;C23C16/50 | 主分类号 | C23C16/54 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 孙征 |
主权项 | 1.一种镀膜形成方法,包括在带状基质长度方向上连续运送基质,以形成放电区的一部分,通过使用放电在基质上连续形成镀膜,其中在运送过程中,在与运送方向相垂直的方向上,将形成放电区一部分的基质的横断面形状改变为弯曲形状。 | ||
地址 | 日本东京都 |