罩幕式只读存储器的结构及其制造方法

摘要

一种罩幕式只读存储器的制造方法，此方法依序于基底上形成一氧化硅/氮化硅/氧化硅复合层与复数个栅极，且任一栅极与基底之间的氧化硅/氮化硅/氧化硅复合层作为一预定编码区。接着，于栅极间的基底中形成复数条位线，并且于基底上形成与栅极电连接的复数条字符线。然后，于基底上形成具有编码窗口的化学气相沉积抗反射材料层与内层介电层。然后，进行一编码工艺，以化学气相沉积抗反射层为编码罩幕，利用紫外光照射基底，以使编码窗口暴露的栅极下方的预定编码区形成复数个写入编码区，再于编码窗口内形成插塞。

主权项

1.一种罩幕式只读存储器的制造方法，其特征为：该方法包括：于一基底上形成一氧化硅/氮化硅/氧化硅复合层；于该氧化硅/氮化硅/氧化硅复合层上形成复数个栅极结构，每一该些栅极结构与该基底间的该氧化硅/氮化硅/氧化硅复合层分别作为一预定编码区；于该些栅极结构间的该基底中形成复数条位线；于该基底上形成复数条字符线，且该些字符线与该些栅极结构电连接；于该基底上形成一化学气相沉积抗反射层；于该化学气相沉积抗反射层上形成一内层介电层；于该内层介电层与该化学气相沉积抗反射层中形成复数个编码窗口，该编码窗口位于复数个欲写入的预定编码区的上方；进行一编码工艺，以该化学气相沉积抗反射层为编码罩幕，利用紫外光照射该基底，以使该些编码窗口下方的该些预定编码区形成复数个编码区；以及于每一该些该编码窗口内形成一插塞。