| 发明名称 | 一种激光器与光电开关集成的器件 | ||
| 摘要 | 一种激光器与光电开关集成的器件，在n型GaAs衬底上，用MBE方法依次生长n型GaAs缓冲层，n型AlAs/Al<SUB>0.1</SUB>Ga<SUB>0.9</SUB>As，n型Al<SUB>0.25</SUB>Ga<SUB>0.75</SUB>As下限制层，GaAs有源层，p型Al<SUB>0.25</SUB>Ga<SUB>0.75</SUB>As上限制层，p型AlAs层，p型AlAs/Al<SUB>0.1</SUB>Ga<SUB>0.9</SUB>As层和p型Al<SUB>0.1</SUB>Ga<SUB>0.9</SUB>As欧姆接触层；垂直腔面发射激光器结构层生长完毕；在生长金属-绝缘体-半导体开关之前先生长一层AlAs高腐蚀停止层；接下来在垂直腔面发射激光器上生长金属-绝缘体-半导体开关：外延层依次为p-GaAs，n-GaAs和AlAs层。 | ||
| 申请公布号 | CN1124653C | 申请公布日期 | 2003.10.15 |
| 申请号 | CN00107893.3 | 申请日期 | 2000.06.29 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 林世明 |
| 分类号 | H01L27/15;H01S5/026;H01S5/00 | 主分类号 | H01L27/15 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种激光器与光电开关集成的器件，其特征在于，在n型GaAs衬底上，用MBE方法依次生长n型GaAs缓冲层，n型AlAs/Al0.1Ga0.9As，n型Al0.25Ga0.75As下限制层，GaAs有源层，p型Al0.25Ga0.75As上限制层，p型AlAs层，p型AlAs/Al0.1Ga0.9As层和p型Al0.1Ga0.9As欧姆接触层；垂直腔面发射激光器结构层生长完毕；在生长金属-绝缘体-半导体开关之前先生长一层AlAs高腐蚀停止层；接下来在垂直腔面发射激光器上生长金属-绝缘体-半导体开关；外延层依次为p-GaAs，n-GaAs和AlAs层。 | ||
| 地址 | 100083北京市912信箱 | ||