正性光刻胶组合物的热处理方法

摘要

描述了对于重氮萘醌磺酸酯-酚醛清漆正性光刻胶的快速后曝光烘烤(快速PEB)方法，该方法提供了显著的优点。该方法优选在底抗反射涂层上使用比抗蚀剂普通后曝光烘烤(PEB)较高的温度(≥130℃)和很短的烘烤时间(≤30秒)。它明显地提高了光刻胶的分辨能力、工艺宽容度、热变形温度、抗蚀剂附着力和抗等离子蚀刻性。

主权项

1、在低反射率的基质上制备浮凸图像的方法，包括将一抗反射涂层施加在所述基质上，将重氮萘醌/酚醛清漆光刻胶涂敷在所述抗反射涂层上面，在光化性光线下将光刻胶曝光，烘烤光刻胶涂层，处理涂敷的基质以在该基质上显影图像，该烘烤步骤是通过将基质接触或紧靠着温度不低于130℃的加热的表面不长于30秒的时间而完成的。