备有无需刷新动作的存储单元的半导体存储装置

摘要

存储单元，备有作为传输门的N沟道MOS晶体管、蓄存与存储信息对应的电荷的电容器、电荷补偿电路。电荷补偿电路，是由2级反相器构成的双稳态型电路，用于锁存结点的逻辑电平。各反相器的负载电阻，分别由以多晶硅形成并可以在作为整体晶体管的N沟道MOS晶体管的上层形成的P沟道道薄膜晶体管构成。其结果是，半导体存储装置，能象DRAM一样实现高度集成化、大容量化，但无需进行刷新动作。

主权项

1.一种半导体存储装置，备有包含按行列状配置的多个存储单元的存储单元阵列、按上述存储单元的每行和每列分别配置的多条字线及多条位线，上述多个存储单元的每一个，包含对以二值信息表示的存储信息的1位数据保持与其逻辑电平对应的电荷的电容元件、由施加于上述字线的电压驱动并在上述位线和上述电容元件之间进行电荷的相互传送的存取晶体管、根据上述数据的逻辑电平补偿从上述电容元件漏泄的电荷的电荷补偿电路。