发明名称 |
解决与蚀刻沟道过程有关的光学边缘效应的器件与方法 |
摘要 |
根据本发明的第一方面,提供了一种改进型半导体衬底。该改进型半导体衬底包括:1)半导体衬底;2)至少一层缓冲层,它设置在至少部分衬底上;以及3)多个沟道,它包括a)多个内部沟道,其延伸到半导体衬底内以及b)至少一个浅薄的外围沟道,延伸到至少一层缓冲层内但是不延伸到半导体衬底内。根据本发明的另一个方面,提供了一种在半导体衬底内选择成型沟道的方法。根据本发明的又一个方面,提供了一种包括至少一个外围沟道和多个内部沟道的沟道DMOS晶体管结构。该结构包括:1)第一导电型衬底;2)体区,它位于衬底上,所述体区具有第二导电型,其中外围沟道和内部沟道通过该体区延伸;3)绝缘层,嵌入每个外围沟道与内部沟道之间;4)第一导电电极,覆盖每个绝缘层;以及5)第一导电型的源极区,位于与每个内部沟道相邻,但是与至少一个外围沟道不相邻的体区内。 |
申请公布号 |
CN1449573A |
申请公布日期 |
2003.10.15 |
申请号 |
CN01812958.7 |
申请日期 |
2001.07.17 |
申请人 |
通用半导体公司 |
发明人 |
石甫渊;苏根政;崔炎曼 |
分类号 |
H01L21/3065;H01L21/336;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/3065 |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
关兆辉;张天舒 |
主权项 |
1.一种在半导体衬底上提供沟道的方法,该方法包括:提供半导体衬底;在所述衬底上提供构图的抗蚀刻层,所述构图层具有多个沟道孔径,它包括(a)至少一个外围沟道孔径和(b)多个内部沟道孔径;在每个外围沟道孔径与半导体衬底之间提供至少一层缓冲层;以及执行蚀刻处理,其中在所述半导体衬底上的每个内部沟道孔径位置蚀刻内部沟道,并且其中通过所述至少一层缓冲层,防止外围沟道在每个外围孔径位置蚀刻进所述半导体衬底。 |
地址 |
美国纽约 |