发明名称 | 用于形成金属氧化物薄膜的使用醇的化学气相沉积法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种金属氧化物薄膜的制备方法,其中通过第一反应物和第二反应物之间的化学反应产生的金属氧化物以薄膜形式沉积在基底的表面上。该方法包括将含有金属-有机化合物的第一反应物引入包括基底的反应室;以及引入含醇的第二反应物。由于将不含氧残基的醇蒸汽作为反应气用于薄膜沉积,基底或沉积层的直接氧化被沉积过程中的反应气抑制。并且,因为薄膜通过热分解作用沉积(所述热分解是由醇蒸汽和前体之间的化学反应而引起的),沉积速率很快。特别是当使用带有β-二酮配体的金属-有机化合物作为前体时,沉积速率也很快。此外,因为使用化学蒸汽沉积或原子层沉积方法使得薄膜以超微结构生长,因此得到的薄膜漏电流低。 | ||
申请公布号 | CN1448533A | 申请公布日期 | 2003.10.15 |
申请号 | CN03103568.X | 申请日期 | 2003.01.29 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 闵约赛;曹永真;李正贤 |
分类号 | C23C16/30 | 主分类号 | C23C16/30 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 贾静环;宋莉 |
主权项 | 1.一种制备金属氧化物薄膜的方法,包括:将含有金属-有机化合物的第一反应物引入包括基底的反应室;引入含醇的第二反应物,并且其中通过第一反应物和第二反应物之间的化学反应产生的金属氧化物以薄膜形式被沉积在基底的表面上。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |