发明名称 | 半导体存储装置 | ||
摘要 | 本发明的目的在于:在设有包含行列状布置的多个存储单元的存储单元阵列的半导体存储装置中,确保刷新操作的稳定性。该装置的刷新控制电路不根据外部命令对多个存储单元保持的数据进行刷新,该装置还设有产生第一和第二刷新周期的刷新周期产生电路;所述刷新执行电路,在比第一刷新周期产生电路产生的第一周期长的长期间内未进行刷新操作的场合,在该长期间内或该长期间结束时进行汇总,之后以第二刷新周期产生电路产生的第二刷新周期为起点,连续执行刷新操作。 | ||
申请公布号 | CN1448952A | 申请公布日期 | 2003.10.15 |
申请号 | CN02154375.5 | 申请日期 | 2002.11.29 |
申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 筑出正树 |
分类号 | G11C11/406;G11C11/4091 | 主分类号 | G11C11/406 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;王忠忠 |
主权项 | 1.一种具有可执行数据的读出操作和写入操作的操作状态和保持所述数据的等待状态的半导体存储装置,其特征在于:设有包含成行列状布置的多个存储单元的存储单元阵列,以及用以刷新所述多个存储单元保持的数据的刷新控制电路;所述刷新控制电路包括:产生第一刷新周期的第一刷新周期产生电路,产生比第一刷新周期时间短的第二刷新周期的第二刷新周期产生电路,以及刷新执行电路,该电路在由第一刷新周期产生电路产生了第一刷新周期后,在刷新操作成为可能时执行刷新操作,并且在比第一刷新周期产生电路产生的第一刷新周期长的长期间内未执行刷新操作的场合,在所述长期间内或所述长期间结束时,基于第二刷新周期产生电路产生的第二刷新周期连续地执行刷新操作。 | ||
地址 | 日本东京都 |