半导体存储器装置及其字线升压方法

摘要

一种半导体存储器装置，在每个把存储单元阵列块分割成多个的块中，对留在块内的长度的字线进行升压。在多列的一对位线(BL，/BL)和多行的字线(WL)的各个交叉部上，具有连接在一对位线和字线上的多个存储单元(10)。具有把该存储单元的配置区域进行块分割而形成的多个存储单元阵列块(120)。为了使多个存储单元阵列块内的全部字线(WL)升压，具有所共用的第一被升压线(VLINE1)。由连接在第一被升压线上的升压用电容器(C1)和对该升压用电容器进行预充电的开关晶体管(T7)构成升压电路(30)。具有升压控制电路(40)，给升压电路输出导通驱动晶体管(T7)而对升压用电容器进行预充电的预充电控制信号(Φ2)和使升压用电容器的负极端的电位变化的升压驱动信号(Φ1)。在各个存储单元阵列块上设有第二被升压线(VLINE2)。由块选择电路(90)选择一个存储单元阵列块，使由行选择电路(60，100)所选择的一条字线经过第二被升压线进行升压。

主权项

1.一种半导体存储器装置，包括：多个静态存储单元，在多列的一对位线和多行的字线的各个交叉部上，连接在上述一对位线和上述字线上；多个存储单元阵列块，把上述多行的字线沿该字线的纵向分割成多个，在每个所分割的字线上，对多个上述存储单元的配置区域进行块分割而形成；共用的第一被升压线，用于对上述多个存储单元阵列块内的全部字线进行升压；升压用电容器，具有连接在上述第一被升压线上的正极端；开关晶体管，连接在电源线和上述升压用电容器的上述正极端之间；升压控制装置，输出导通驱动上述开关晶体管而对上述升压用电容器进行预充电的预充电控制信号和使上述升压用电容器的负极端的电位发生变化的升压驱动信号；第二被升压线，设在每个上述存储单元阵列块中；块选择电路，设在每个上述存储单元阵列块中，根据块地址信号选择一个上述存储单元阵列块； 行选择电路，设在每个上述存储单元阵列块中，根据行地址信号选择一条字线，使由上述块选择电路所选择的一个上述存储单元阵列块内的、由上述行选择电路所选择的一条上述字线经过上述第一、第二被升压线而升压；其特征在于，上述升压控制装置包括升压/非升压切换电路，在电源电压变到预定电压以上时，通过上述升压驱动信号来降低上述升压用电容器的上述负极端的电位，使上述字线的升压工作失活。