浅槽隔离的方法

摘要

本发明提供一种浅槽隔离方法。该方法包括下列步骤：(1)于一衬底表面形成一经构图的掩蔽层，该掩蔽层包含有一缓冲氧化层以及一氮化硅层形成于该缓冲氧化层上；(2)蚀刻未被该掩蔽层覆盖的该衬底，以形成一槽区域；(3)形成一高温氧化膜，覆盖于该槽区域表面以及该掩蔽层表面；(4)沉积一介电层，该介电层填满该槽区域，并覆盖该高温氧化膜；(5)平坦化该介电层，直至暴露出该氮化硅层；以及(6)去除该氮化硅层。

主权项

1.一种于一衬底上制作浅槽隔离的方法，该方法包括下列步骤：于该衬底表面形成一经构图的掩蔽层，该掩蔽层包括一缓冲氧化层以及一氮化硅层形成于该缓冲氧化层上；蚀刻未被该掩蔽层覆盖的该衬底，以形成一槽区域；形成一高温氧化膜，覆盖于该槽区域表面以及该掩蔽层表面；沉积一介电层，该介电层填满该槽区域，并覆盖该高温氧化膜；平坦化该介电层，直至暴露出该氮化硅层；以及去除该氮化硅层，其中该高温氧化膜可强化该介电层与该衬底的界面，避免该介电层与该衬底的界面于该酸液浸泡工艺过程中产生一酸侵蚀缝隙现象。