| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置及其制造方法，为达到可缩小包括电容元件的半导体装置的每一个电容元件的面积的目的。还有，由下部电极(16)、电容绝缘膜(17)及上部电极(18)组成的电容元件(19)，设置在MOS晶体管(30)的源扩散区域(30a)上的导电性插塞(13)的更上一层。再有，电容绝缘膜(17)是沿着设置在第二层间绝缘膜(15)上露出氧化屏障膜(14)的开口部分(15a)的底面和侧壁形成的，其结果是在电容绝缘膜(17)上形成沿导电性插塞(13)的贯通方向弯曲的弯曲部分(17a)。 | ||
| 申请公布号 | CN1449045A | 申请公布日期 | 2003.10.15 |
| 申请号 | CN03107915.6 | 申请日期 | 2003.03.24 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 伊东丰二;藤井英治 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L27/108;H01L21/82 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其中：包括，贯通于绝缘膜的导电性插塞；在上述绝缘膜上与上述导电性插塞电连接且以覆盖导电性插塞的形式形成的导电性氧化屏障膜；形成在上述氧化屏障膜上面，并与上述氧化屏障膜相连的下部电极；在上述下部电极上，并沿这个下部电极形成的电容绝缘膜；在上述电容绝缘膜上沿这个电容绝缘膜形成的上部电极，上述电容绝缘膜具有沿上述导电性插塞的贯通方向弯曲的弯曲部分。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||