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Capteur à effet Hall du type à gaz d'électrons bidimensionnel comprenant sur un substrat isolant (10), uns structure à puits quantique (12), une couche d'apport de porteurs (20) adjacente à la structure à puits quantique (12), d'épaisseur inférieure à 250 angströms et possédant une densité surfacique de donneurs intégrée sur toute l'épaisseur de la couche d'apport de porteurs inférieure à 10 12cm-2, une couche d'enfouissement isolante (22) déposée sur la couche d'apport de porteurs, possédant une bande de conduction d'énergie supérieure à l'énergie de parmi du capteur et d'épaisseur supérieure à 200 angströms. Application au domaine des compteurs électriques et des capteurs de courant. L'abrégé est relatif à la figure 1.~
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