| 发明名称 |
METHOD FOR FORMING AN IMPROVED METAL SILICIDE CONTACT TO A SILICON-CONTAINING CONDUCTIVE REGION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU2002351407(A1) |
申请公布日期 |
2003.10.13 |
| 申请号 |
AU20020351407 |
申请日期 |
2002.12.20 |
| 申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES, INC. |
发明人 |
KARSTEN WIECZOREK;VOLKER KAHLERT;MANFRED HORSTMANN |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/285;H01L21/336;H01L21/768;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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