| 主权项 |
1.一种双位元罩幕式唯读记忆体之结构,包括:一基底;一闸极结构,配置在部分该基底上;一双位元编码区,配置在该闸极结构两侧边底下之该基底中;至少一间隙壁,配置在该闸极结构之两侧;一埋入式汲极,配置在该间隙壁两侧之该基底中;一掺杂区,配置在该埋入式汲极与该双位元编码区之间的该基底中,其中该掺杂区之离子型态系与该双位元编码区之离子型态相反,且该掺杂区之离子浓度较该双位元编码区之离子浓度高;一绝缘层,配置在该埋入式汲极之上方;以及一字元线,配置在该闸极结构之表面上。2.如申请专利范围第1项所述之双位元罩幕式唯读记忆体之结构,其中该掺杂区系将该双位元编码区包围起来。3.如申请专利范围第1项所述之双位元罩幕式唯读记忆体之结构,其中更包括一口袋型掺杂区,配置在未有该编码离子植入之该双位元编码区中。4.如申请专利范围第3项所述之双位元罩幕式唯读记忆体之结构,其中该口袋型掺杂区中所掺杂之离子包括砷离子,且该口袋型掺杂区中所掺杂之剂量系为11013/cm2。5.如申请专利范围第1项所述之双位元罩幕式唯读记忆体之结构,其中该双位元编码区中所植入之离子包括砷离子,且该双位元编码区所植入之剂量系为21013/cm2。6.如申请专利范围第1项所述之双位元罩幕式唯读记忆体之结构,其中该掺杂区中所植入之离子包括BF2+离子,且该掺杂区中所植入之剂量系为51013/cm2。7.如申请专利范围第1项所述之双位元罩幕式唯读记忆体之结构,其中该埋入式汲极中所掺杂之离子包括BF2+离子,且该埋入式汲极中所掺杂之剂量系为1.51015/cm2。8.如申请专利范围第1项所述之双位元罩幕式唯读记忆体之结构,其中该间隙壁之厚度系为400埃至600埃。9.如申请专利范围第1项所述之双位元罩幕式唯读记忆体之结构,其中该字元线包括一多晶矽层以及在该多晶矽层顶部之一金属矽化物层。10.一种双位元罩幕式唯读记忆体的制造方法,包括:在一基底上形成一闸极结构;在该基底上形成图案化之一光阻层,暴露出一双位元编码区;以该光阻层为罩幕进行一双位元编码布植步骤,以在该双位元编码区中植入一编码离子;以该光阻层为罩幕进行一第一离子植入步骤,以在该基底中形成一掺杂区,其中该掺杂区之离子型态系与该双位元编码区之离子型态相反,且该掺杂区之离子浓度较该双位元编码区之离子浓度高;移除该光阻层;在该闸极结构之侧壁形成至少一间隙壁;以该间隙壁与该闸极结构为罩幕,进行一第二离子植入步骤,以在该间隙壁两侧之该基底中形成一埋入式汲极,其中该埋入式汲极与该双位元编码区之间系形成有该掺杂区;在该埋入式汲极之上方形成一绝缘层;以及在该闸极结构上形成一字元线。11.如申请专利范围第10项所述之双位元罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中在历经后续数次热制程之后,该掺杂区会将该双位元编码区包围起来。12.如申请专利范围第10项所述之双位元罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中在形成该闸极结构之后,更包括进行一口袋型离子植入步骤,以在该闸极结构两侧边底下之该基底中形成一口袋型掺杂区。13.如申请专利范围第12项所述之双位元罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该口袋型掺杂区中所植入之离子包括砷离子,且该口袋型离子植入步骤之一离子植入剂量系为11013/cm2,该口袋型离子植入步骤之一离子植入能量系为50 KeV,该口袋型离子植入步骤之一离子植入角度系为45度。14.如申请专利范围第10项所述之双位元罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该双位元编码布植步骤所使用之一编码离子包括砷离子,且该双位元编码布植步骤之一离子植入剂量系为21013/cm2,该双位元编码布植步骤之一离子植入能量系为50 KeV,该双位元编码布植步骤之一离子植入角度系为45度。15.如申请专利范围第10项所述之双位元罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该掺杂区中所植入之离子包括BF2+离子,且该第一离子植入步骤之一离子植入剂量系为51013/cm2,该第一离子植入步骤之一离子植入能量系为40 KeV。16.如申请专利范围第10项所述之双位元罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该埋入式汲极中所植入之离子包括BF2+离子,且该第二离子植入步骤之一离子植入剂量系为11015/cm2,该第二离子植入步骤之一离子植入能量系为10 KeV。17.如申请专利范围第10项所述之双位元罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中形成该绝缘层之方法包括:在该基底之上方形成一绝缘材质层,覆盖该闸极结构;以及利用一回蚀刻法或一化学机械研磨法移除部分该绝缘材质层,直到该闸极结构暴露出来。18.如申请专利范围第10项所述之双位元罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该间隙壁之厚度系为400埃至600埃。19.如申请专利范围第10项所述之双位元罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中形成该字元线之方法包括:在该闸极结构上形成一多晶矽层;以及在该多晶矽层之表面形成一金属矽化物层。图式简单说明:第1图为习知一种双位元罩幕式唯读记忆体结构之剖面示意图;以及第2A图至第2E图是依照本发明一较佳实施例之双位元罩幕式唯读记忆体之制造流程剖面示意图。 |
