| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,包括:闸极形成步骤,形成设置于半导体基板主面上的闸绝缘膜、以及隔着该闸绝缘膜而设置于该半导体基板上的闸极;虚设侧壁步骤,形成覆盖着:该闸极与该闸绝缘膜侧面,以及从该侧面扩展至该闸极侧边之该主面一定区域的虚设侧壁;杂质区域形成步骤,以该虚设侧壁及该闸极为罩幕,对该主面导入杂质而形成杂质区域;保护氧化膜步骤,在该杂质区域形成步骤的前或后时点下,以该虚设侧壁为罩幕,在该闸极与该主面上面形成保护氧化膜;虚设侧壁加工步骤,在该保护氧化膜步骤之后,减少该虚设侧壁厚度;以及杂质区域扩展步骤,以该虚设侧壁加工步骤中所残余的虚设侧壁及该闸极为罩幕,依使该杂质区域潜入该闸极绝缘膜下方其中一部份之方式进行扩展。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,该保护氧化步骤系在该虚设侧壁步骤之后,且该杂质区域形成步骤之前实施的。3.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,在该虚设侧壁步骤之后,且该保护氧化膜步骤之前,以该虚设侧壁为罩幕,施行对该闸极及该主面的上面植入杂质而促进氧化的氧化促进步骤。4.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,更包括:在该虚设侧壁步骤之后,且该保护氧化膜步骤之前,以该虚设侧壁及该闸极为罩幕,对该主面施行磊晶成长而往上推的上推步骤;该保护氧化步骤系对该上推步骤后的构造,以该虚设侧壁为罩幕而形成保护氧化膜。5.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,在该虚设侧壁步骤中,该虚设侧壁系由层积着氧化膜、与覆盖着该氧化膜的氮化膜所构成,而该氧化膜系依一定厚度覆盖在该闸极与该闸绝缘膜侧面、以及覆盖着从该侧面起扩展至该闸极侧边之该主面的一定区域上;而在该虚设侧壁加工步骤中,仅去除该氮化膜俾减少该虚设侧壁厚度。6.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,在该保护氧化步骤中,利用形成该保护氧化膜之际所添加的热进行退火处理。7.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,该杂质区域扩展步骤系包括:将杂质植入该杂质区域中的步骤;以及在刚植入该杂质之后,便马上施行急速热退火或纵型扩散炉的退火处理之步骤。8.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,该杂质区域扩展步骤系包括:将杂质植入该杂质区域中的步骤;以及施行为形成矽化物的退火处理之步骤。9.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,该杂质区域扩展步骤系包括施行该杂质区域固相扩散的步骤。10.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,该杂质区域形成步骤系包括:以该虚设侧壁及该闸极为罩幕,对该主面导入该杂质的步骤;以及在刚植入该杂质之后便马上施行退火处理的步骤。图式简单说明:第1图系本发明实施形态1的半导体装置之制造方法中,元件隔离步骤示意图。第2图系本发明实施形态1的半导体装置之制造方法中,闸极形成步骤示意图。第3图系本发明实施形态1的半导体装置之制造方法中,虚设侧壁形成步骤示意图。第4图系本发明实施形态1的半导体装置之制造方法中,源极汲极形成步骤示意图。第5图系本发明实施形态1的半导体装置之制造方法中,保护氧化步骤示意图。第6图系本发明实施形态1的半导体装置之制造方法中,虚设侧壁加工步骤示意图。第7图系本发明实施形态1的半导体装置之制造方法中,源极汲极.扩展步骤示意图。第8图系本发明实施形态1的半导体装置之制造方法中,侧壁形成步骤示意图。第9图系本发明实施形态2的半导体装置之制造方法中,元件隔离步骤示意图。第10图系本发明实施形态2的半导体装置之制造方法中,闸极形成步骤示意图。第11图系本发明实施形态2的半导体装置之制造方法中,虚设侧壁形成步骤示意图。第12图系本发明实施形态2的半导体装置之制造方法中,保护氧化步骤示意图。第13图系本发明实施形态2的半导体装置之制造方法中,源极汲极形成步骤示意图。第14图系本发明实施形态2的半导体装置之制造方法中,虚设侧壁加工步骤示意图。第15图系本发明实施形态2的半导体装置之制造方法中,源极汲极扩展步骤示意图。第16图系本发明实施形态2的半导体装置之制造方法中,侧壁形成步骤示意图。第17图系本发明实施形态3的半导体装置之制造方法中,元件隔离步骤示意图。第18图系本发明实施形态3的半导体装置之制造方法中,闸极形成步骤示意图。第19图系本发明实施形态3的半导体装置之制造方法中,虚设侧壁形成步骤示意图。第20图系本发明实施形态3的半导体装置之制造方法中,源极汲极形成步骤示意图。第21图系本发明实施形态3的半导体装置之制造方法中,氧化促进步骤示意图。第22图系本发明实施形态3的半导体装置之制造方法中,保护氧化步骤示意图。第23图系本发明实施形态3的半导体装置之制造方法中,虚设侧壁加工步骤示意图。第24图系本发明实施形态3的半导体装置之制造方法中,源极汲极扩展步骤示意图。第25图系本发明实施形态3的半导体装置之制造方法中,侧壁形成步骤示意图。第26图系本发明实施形态4的半导体装置之制造方法中,元件隔离步骤示意图。第27图系本发明实施形态4的半导体装置之制造方法中,闸极形成步骤示意图。第28图系本发明实施形态4的半导体装置之制造方法中,虚设侧壁形成步骤示意图。第29图系本发明实施形态4的半导体装置之制造方法中,源极汲极形成步骤示意图。第30图系本发明实施形态4的半导体装置之制造方法中,源极汲极上推步骤示意图。第31图系本发明实施形态4的半导体装置之制造方法中,保护氧化步骤示意图。第32图系本发明实施形态4的半导体装置之制造方法中,虚设侧壁加工步骤示意图。第33图系本发明实施形态4的半导体装置之制造方法中,源极汲极扩展步骤示意图。第34图系本发明实施形态4的半导体装置之制造方法中,侧壁形成步骤示意图。第35图系习知半导体装置之制造方法中,元件隔离步骤示意图。第36图系习知半导体装置之制造方法中,闸极形成步骤示意图。第37图系习知半导体装置之制造方法中,虚设侧壁形成步骤示意图。第38图系习知半导体装置之制造方法中,源极汲极形成步骤示意图。第39图系习知半导体装置之制造方法中,虚设侧壁加工步骤示意图。第40图系习知半导体装置之制造方法中,源极汲极扩展步骤示意图。第41图系习知半导体装置之制造方法中,侧壁形成步骤示意图。 |
