| 主权项 |
1.一种晶圆清洗机台之双喷口钝气喷管,至少包括:小管径喷口,系用以喷出集中钝气,将位于该晶圆线路图案开口中之污染微粒吹出至该晶圆上表面;以及大管径喷口,系用以在该晶圆上表面喷出扩散钝气,以尾随该集中钝气,而将位于该晶圆上表面之该污染微粒吹扫至该晶圆外。2.如申请专利范围第1项所述之双喷口钝气喷管,其中该大管径口径为4-5公厘。3.如申请专利范围第1项所述之双喷口钝气喷管,其中该小管径口径为1-2公厘。4.如申请专利范围第1项所述之双喷口钝气喷管,其中该钝气为氮气。5.一种晶圆清洗机台之双喷口钝气喷管,至少包括:小管径喷口,系用以喷出集中钝气,将位于该晶圆线路图案开口中之污染微粒吹出至该晶圆上表面;以及大管径喷口,其中该大管径与该小管径系为平行并列并互相贯通,且该大管径喷口在该晶圆上表面喷出之钝气范围,大于该小管径喷口喷出之该集中钝气范围,以尾随该集中钝气,将位于该晶圆上表面之该污染微粒吹扫至该晶圆外。6.如申请专利范围第5项所述之双喷口钝气喷管,其中该小管径口径为1-2公厘。7.如申请专利范围第5项所述之双喷口钝气喷管,其中该大管径口径为4-5公厘。8.如申请专利范围第5项所述之双喷口钝气喷管,其中该钝气为氮气。9.一种清洗晶圆之机台,至少包括:清洗槽,系用以使该晶圆进行清洗程序;分配槽,系具有开口于其侧壁上,以使喷管经由该开口由该分配槽向外延伸,其中该喷管至少包括:第一喷管,系用以喷出酸性溶液,以利用该酸性溶液中所含之化学成分移除位于该晶圆上表面之聚合物微粒;第二喷管,系用以喷出高纯度去离子水,以清洗该晶圆,并同时将半导体制程中残留于该晶圆上表面之该酸性溶液冲洗掉;第三喷管,系具有双喷口,以喷出钝气吹乾该晶圆,至少包括:小管径喷口,系用以喷出集中钝气,而将位于该晶圆线路图案开口中之污染微粒吹出至该晶圆上表面;以及大管径喷口,系用以在该晶圆上表面喷出扩散钝气,以尾随该集中钝气,而将位于该晶圆上表面之该污染微粒吹扫至该晶圆外。10.如申请专利范围第9项所述之机台,其中该小管径喷口口径为1-2公厘。11.如申请专利范围第9项所述之机台,其中该大管径喷口口径为4-5公厘。12.如申请专利范围第9项所述之机台,其中该酸性溶液为ST-250。13.如申请专利范围第9项所述之机台,其中该钝气为氮气。图式简单说明:第一图揭露各种污染源对电子元件之影响;第二图为习知技术之清洗机台示意图,显示机台内各组成元件间之连结关系;第三图为习知技术之氮管示意图,显示氮管由晶圆中心往边缘移动之情形;第四图为本发明之清洗机台示意图,显示机台内各组成元件间之连结关系;以及第五图为本发明之钝气喷管示意图,显示钝气喷管由晶圆中心往边缘移动之情形。 |
