| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征是具有:指定之元件,形成在半导体基板之主表面之指定区域,包含有第1导电型杂质区域和第2导电型杂质区域;导电区域,电连接到上述之指定之元件;和热电变换元件,形成在上述之半导体基板之主表面,其一端被配置在上述指定区域之近傍,用来吸收上述之指定之元件在动作时所产生之热,其另外一端被配置在上述半导体基板区域中之发热量较少之区域;上述之热电变换元件具备有:第1导电型半导体区域和第2导电型半导体区域,分别形成在上述半导体基板之主表面,从上述之指定区域之近傍过渡到上述之发热量较少之区域;第1配线部,在上述之一端电连接到上述之第1导电型半导体区域和上述之第2导电型半导体区域;第2配线部,在上述之另外一端电连接到上述之第1导电型半导体区域;和第3配线部,在上述之另外一端电连接到上述之第2导电型半导体区域。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中在上述之热电变换元件使上述之第1导电型半导体区域,与上述之第1导电型杂质区域同时形成;上述之第2导电型半导体区域,与上述之第2导电型杂质区域同时形成;和上述之第1配线部,上述之第2配线部,和上述之第3配线部,与上述之导电区域同时形成。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中上述之指定之元件包含有:第1电晶体,包含有1对之上述之第1导电型杂质区域和第1电极部;和第2电晶体,包含有1对之上述之第2导电型杂质区域和第2电极部。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述之指定之元件包含有:第1电晶体,包含有1对之上述之第1导电型杂质区域和第1电极部;和第2电晶体,包含有1对之上述之第2导电型杂质区域和第2电极部。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中对于上述之热电变换元件,具备有电源部用来使直流电流从上述之第2配线部,经由上述之第1导电型半导体区域,上述之第1配线部和上述之第2导电型半导体区域,流向上述之第3配线部。6.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中具备有:电动势测定部,连接到上述热电变换元件之上述另外一端;和温度控制部,连接到上述之电源部,根据上述之电动势测定部所检测到之电动势,用来调整在上述之热电变换元件流动之电流,藉以控制上述热电变换元件所进行之热之吸收。7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中具备有:上述指定之元件以外之其他之元件;和电源部,用来驱动上述之其他之元件;经由吸收上述之热用来在上述之热电变换元件产生电动势,将其发送到上述之电源部,用以驱动上述之其他之元件。8.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中具备有:层间绝缘膜,以覆盖在上述指定之元件和上述之热电变换元件之方式,形成在上述之半导体基板上;多个第1接触孔,形成在位于上述之一端之上述层间绝缘膜之部份,分别用来使上述第1导电型半导体区域之表面露出;和多个第2接触孔,形成在位于上述之一端之上述层间绝缘膜之部份,分别用来使上述第2导电型半导体区域之表面露出;上述之第1配线部经由上述之多个第1接触孔和上述之多个第2接触孔,电连接到上述之第1导电型半导体区域和上述之第2导电型半导体区域。图式简单说明:图1是本发明之实施形态1之半导体装置之斜视图。图2是概略图,用来表示实施形态1之热电变换元件之构造。图3是实施形态1之图1所示之半导体装置之部份扩大斜视图。图4是实施形态1之图3所示之剖面线Ⅳ-Ⅳ之剖面图。图5是实施形态1之图3所示之剖面线Ⅴ-Ⅴ之剖面图。图6是剖面图,用来表示实施形态1之半导体装置之制造方法之一步骤。图7是剖面图,用来表示实施形态1之图6所示之步骤后进行之步骤。图8是剖面图,用来表示实施形态1之图7所示之步骤后进行之步骤。图9是剖面图,用来表示实施形态1之图8所示之步骤后进行之步骤。图10是剖面图,用来表示实施形态1之图9所示之步骤后进行之步骤。图11是剖面图,用来表示实施形态1之图10所示之步骤后进行之步骤。图12是上面图,用来表示实施形态1之元件形成区域侧之接触孔之配置之一实例。图13是实施形态1之变化例之半导体装置之部份扩大斜视图。图14是实施形态1之变化例之半导体装置之动作之流程图。图15是本发明之实施形态2之半导体装置之部份扩大斜视图。图16是概略图,用来表示实施形态2之热电变换元件之构造。 |
