| 主权项 |
1.一种抗腐蚀物件,其至少包括:一支撑物;以及一至少包含钇之氧化覆盖层,布置于该支撑物上,其中该支撑物和该氧化覆盖层之物质组成的热膨胀系数间的差异不大于5x10-6/K,以及其中该抗腐蚀物件是一电浆处理室零件。2.如申请专利范围第1项所述之抗腐蚀物件,其中该物质组成的热膨胀系数间的差异不大于3x10-6/K。3.如申请专利范围第1项所述之抗腐蚀物件,其中该物质组成的热膨胀系数间的差异不大于1x10-6/K。4.如申请专利范围第1项所述之抗腐蚀物件,其中该支撑物是一铝-矽碳化物支撑物。5.如申请专利范围第1项所述之抗腐蚀物件,其中该支撑物是一氧化铝支撑物。6.如申请专利范围第1项所述之抗腐蚀物件,其中该支撑物系由一氮化铝支撑物、一碳化矽支撑物和一锆合金支撑物来选择。7.如申请专利范围第1项所述之抗腐蚀物件,其中该氧化覆盖层是一氧化钇覆盖层。8.如申请专利范围第1项所述之抗腐蚀物件,其中该氧化覆盖层更包括铝。9.如申请专利范围第8项所述之抗腐蚀物件,其中该氧化覆盖层是一钇铝柘榴石覆盖层。10.如申请专利范围第1项所述之抗腐蚀物件,更包括一中间区,介于该氧化覆盖层与该支撑物之间,其中该中间区、该支撑物与该氧化覆盖层之物质组成的热膨胀系数间的差异不大于5x10-6/K。11.如申请专利范围第1项所述之抗腐蚀物件,其中该零件是一反应室壁零件。12.如申请专利范围第1项所述之抗腐蚀物件,其中该零件是一环形零件。13.如申请专利范围第12项所述之抗腐蚀物件,其中该环形零件是一制程工具零件。14.如申请专利范围第13项所述之抗腐蚀物件,其中该环形零件是一对焦环。15.如申请专利范围第13项所述之抗腐蚀物件,其中该环形零件是一抓取环。16.如申请专利范围第13项所述之抗腐蚀物件,其中该环形零件是一插入环。17.如申请专利范围第1项所述之抗腐蚀物件,其中该零件是一介电窗。18.如申请专利范围第1项所述之抗腐蚀物件,其中该支撑物系由选择铝和铝-矽碳化物之一物质来形成,而其中该氧化覆盖层系由氧化钇和钇铝柘榴石来选择。19.如申请专利范围第18项所述之抗腐蚀物件,其中该电浆处理室零件系由一对焦环、一插入环、一抓取环、一反应室壁零件及一介电窗来选择。20.一种制造一抗腐蚀物件的方法,其至少包括下列步骤:提供一支撑物;以及提供一含钇之氧化覆盖层,布置于该支撑物上,其中该支撑物和该氧化覆盖层之物质组成的热膨胀系数间的差异不大于5x10-6/K,以及其中该抗腐蚀物件是一电浆处理室零件。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该氧化覆盖层系经由一制程而被提供在该支撑物上,该制程至少包括一物理气相沉积步骤或一化学气相沉积步骤。22.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该氧化覆盖层系经由一制程而被提供至该支撑物上,该制程至少包括一热喷洒步骤。23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该热喷洒步骤是一电浆喷洒步骤。24.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该支撑物系由铝土和铝-矽碳化物来选择,以及其中该氧化层组成物系由氧化钇和钇铝柘榴石来选择。25.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该氧化覆盖层系经由一制程来提供,该制程包括一烧结步骤。26.如申请专利范围第25项所述之方法,其中该制程至少包括一热施压步骤。27.如申请专利范围第25项所述之方法,其中该制程至少包括一乾式施压步骤及一烧结步骤。28.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该支撑物及该氧化覆盖层系经由一制程来提供,该制程包括至少一烧结步骤。29.如申请专利范围第28项所述之方法,其中该支撑物系由一粉状原始混合物来形成,该粉状原始混合物至少包括铝土微粒,以及该氧化覆盖层系由一粉状原始混合物来形成,该粉状原始混合物至少包括(a)氧化钇之微粒,(b)钇铝柘榴石之微粒,或(c)氧化钇和氧化铝之微粒。图式简单说明:第1图为依照本发明一实施例之电浆处理室的部分侧面正视图;第2图为第1图之对焦环的上视图;第3图为第1图之对焦环的下视图;第4图为以第2图之箭头的方向并沿着线4--4之平面的垂直剖面图;第5图为第1图之基材抓取环的上视图;第6图为第1图之基材抓取环的下视图;第7图为以第5图之箭头的方向并沿着线7--7之平面的垂直剖面图;第8图为依照本发明一实施例之插入环的上视图;第9图为以第8图之箭头的方向并沿着线9--9之平面的垂直剖面图;以及第10图为依照本发明一实施例之电感偶合RF电浆处理室的部分侧面正视图。 |
