发明名称 有机电场发光元件及其制造方法
摘要 本发明提供一种藉由提高阳极之反射率而可提高发光效率之有机电场发光元件及其制造方法。其系于基板11上依序堆叠阳极12、电洞植入用薄膜层13、绝缘层14、含发光层15C之有机层15、及含半透过性电极16A之阴极16。阳极12藉由反射率高之金属的银或含银合金构成,电洞植入用薄膜层13藉由氧化铬等构成。发光层15C产生之光于阳极12与半透过性电极16A之间多重反射,并自阴极16侧取出。由于阳极12之反射率高,因此可有效取出发光层15C产生之光。构成阳极12之合金宜为含银、钯与铜之合金,银含量宜在50质量%以上。
申请公布号 TW557638 申请公布日期 2003.10.11
申请号 TW091119249 申请日期 2002.08.26
申请人 新力股份有限公司 发明人 花轮 幸治;山田二郎;平野贵之
分类号 H05B33/00 主分类号 H05B33/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种有机电场发光元件,其系在阳极与阴极之间具备含发光层之一层以上的有机层,并自前述阴极侧取出前述发光层产生之光,其特征为:前述阳极系藉由银(Ag)或含银合金构成。2.如申请专利范围第1项之有机电场发光元件,其中前述阳极系藉由含银、钯(Pd)与铜(Cu)之合金构成。3.如申请专利范围第1项之有机电场发光元件,其中前述阳极含银在50质量%以上。4.如申请专利范围第1项之有机电场发光元件,其中在前述阳极与前述有机电场发光层之间,进一步具备包含功函数高于前述阳极之材料的电洞植入用薄膜层。5.如申请专利范围第1项之有机电场发光元件,其中前述阴极具有对前述发光层产生之光为半透过性的半透过性电极,该半透过性电极与前述阳极构成使前述发光层产生之光共振之共振器的共振部。6.如申请专利范围第5项之有机电场发光元件,其中前述阳极及前述半透过性电极产生之反射光的相位偏移为,前述阳极与前述半透过性电极之间的光学性距离为L,自前述阴极侧取出之光之光谱的峰値波长为时,前述光学性距离L系满足公式1之正的最小値:【公式1】2L/+/2=q (q为整数)。7.一种有机电场发光元件之制造方法,该元件系在阳极与阴极之间具备包含发光层之一层以上的有机层,并自前述阴极侧取出前述发光层产生之光,其特征为包含:阳极之膜形成步骤,其系在基板上形成包含银(Ag)或含银合金的阳极;电洞植入用薄膜层形成步骤,其系于惰性气体环境中,在该阳极上形成包含功函数高于阳极之材料的电洞植入用薄膜层;有机层形成步骤,其系在该电洞植入用薄膜层上形成包含发光层之一层以上的有机层;及阴极形成步骤,其系在该有机层上形成阴极。8.一种有机电场发光元件之制造方法,该元件系在阳极与阴极之间具备包含发光层之一层以上之有机层,并自前述阴极侧取出前述发光层产生之光,其特征为包含:阳极之膜形成步骤,其系在基板上形成包含银(Ag)或含银合金的阳极;电洞植入用薄膜层形成步骤,其系使用对应于预定形成区域具有开口之区域掩模,在该阳极上形成包含功函数高于阳极之材料的电洞植入用薄膜层;有机层形成步骤,其系在该电洞植入用薄膜层上形成包含发光层之一层以上的有机层;及阴极形成步骤,其系在该有机层上形成阴极。图式简单说明:图1系显示本发明第一种实施形态之有机电场发光元件构造的剖面图。图2A、B、C系依步骤顺序显示图1所示之有机电场发光元件制造方法的剖面图。图3A、B系依步骤顺序显示第一种实施形态之有机电场发光元件制造方法之变形例的剖面图。图4系显示本发明第二种实施形态之有机电场发光元件构造的剖面图。图5A、B系依步骤顺序显示图4所示之有机电场发光元件制造方法的剖面图。图6系显示先前之有机电场发光元件构造的剖面图。
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