发明名称 晶圆级预烧板及其形成方法
摘要 一种晶圆级预烧板系供与一待测晶圆电性接触,其包含有一基板及复数个针状电极,该些针状电极系形成于基板之一表面,该基板之表面系具有连接垫,每一针状电极系具有一条状金属层及一条状支撑层,其中条状金属层系结合于对应之连接垫,并延伸至条状支撑层,而条状支撑层系形成于对应之条状金属层之一侧表面,以对条状金属层提供一良好之弹性支撑,当该些针状电极接触待测晶圆之测试电极时,其系可弹性吸收热应力,以确保晶圆预烧板能完全接触待测晶圆。
申请公布号 TW557557 申请公布日期 2003.10.11
申请号 TW091114480 申请日期 2002.06.27
申请人 百慕达南茂科技股份有限公司;南茂科技股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区研发一路一号 发明人 郑世杰;刘安鸿;王永和;曾元平;李耀荣
分类号 H01L23/38 主分类号 H01L23/38
代理机构 代理人 张启威 高雄市左营区立文路七十七号十六楼之二
主权项 1.一种晶圆级预烧板,系供与一待测晶圆电性接触,其包含有:一基板,该基板之一表面系形成有复数个连接垫;及复数个针状电极,每一针状电极系包含有一条状金属层及一条状支撑层,其中该些条状金属层之一端系结合于对应之连接垫,另一端则系延伸至条状支撑层,而该些条状支撑层系形成于对应之条状金属层之一侧表面,以支撑该些条状金属层。2.如申请专利范围第1项所述之晶圆级预烧板,其中该些条状支撑层之一端部系结合于该基板表面之非电极部。3.如申请专利范围第1项所述之晶圆级预烧板,其中该些条状支撑层系为厚光阻(thick photoresist)。4.如申请专利范围第1项所述之晶圆级预烧板,其中该些条状支撑层系为聚亚醯胺(polyimide)或苯环丁烯(benezo cyclobutene)。5.如申请专利范围第1项所述之晶圆级预烧板,其中该些条状金属层系为镍、金、银、铜或钯。6.如申请专利范围第1项所述之晶圆级预烧板,其中该基板系为矽基板、印刷电路板或陶瓷基板。7.一种晶圆级预烧板之形成方法,其步骤系包含有:a)提供一基板,该基板之一表面系形成有复数个连接垫;b)形成复数个牺牲光阻于该基板之表面,该些牺牲光阻系不覆盖该些连接垫,且每一牺牲光阻系具有一支撑面;c)形成一厚光阻层于该基板之表面;d)将该厚光阻层图案化,以形成复数个支撑层,其系形成于该些牺牲光阻之支撑面;e)形成复数个金属层,该些金属层系结合于该基板之连接垫连接垫并覆盖对应之支撑层;及f)移除该些牺牲光阻,使该些支撑层系支撑该些金属层。8.如申请专利范围第7项所述之晶圆级预烧板之形成方法,其中在将该厚光阻层图案化之(d)步骤中,该些支撑层之一端部系结合于该基板表面之非电极部。9.如申请专利范围第7项所述之晶圆级预烧板之形成方法,其中形成该些牺牲光阻之方式系为网版印刷(screen printing)或微影成像技术(photolithography)。10.如申请专利范围第7项所述之晶圆级预烧板之形成方法,其中形成厚光阻层之方式系为旋涂(spin coating)、印刷(printing)或喷涂(spraycoating)。11.如申请专利范围第7项所述之晶圆级预烧板之形成方法,其中形成该些金属层之方式系为电镀(plating)、蒸镀(evaporation)、溅镀(sputtering)或蚀刻(etching)。12.如申请专利范围第7项所述之晶圆级预烧板之形成方法,其中在提供一基板之(a)步骤中,该基板系为矽基板、印刷电路板或陶瓷基板。图式简单说明:第1图:依本发明,形成牺牲光阻之基板截面图;第2图:依本发明,形成厚光阻层之基板截面图;第3图:依本发明,形成支撑层之基板截面图;第4图:依本发明,形成金属层之基板截面图;第5图:依本发明,该晶圆级预烧板之截面图;第6图:依本发明,该晶圆预烧板与一待测晶圆之截面图;及第7图:依本发明,该晶圆预烧板电性连接至该待测晶圆之局部放大图。
地址 英国
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