| 主权项 |
1.一种形成浅沟渠隔离的方法,至少包含下列步骤:提供一底材,该底材具有一第一介电层于其上及一第一导体层于该第一介电层上;形成一第二介电层覆盖该第一导体层;形成一第二导体层覆盖该第二介电层;形成一沟渠进入该第二导体层、该第二介电层、该第一导体层、该第一介电层与该底材;共形生成一线性介电层覆盖该沟渠;填满该沟渠以一介电材料以形成一沟渠隔离;移除该第二导体层;形成一第三介电层覆盖该第二介电层与该沟渠隔离;非等向性蚀刻该第三介电层与该第二介电层以曝露出该第一导体层;蚀刻该第一导体层以曝露出该第一介电层;蚀刻该第一介电层以曝露出该底材;及氧化该底材。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该第一介电层至少包含一二氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该第一导体层至少包含一矽层。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中上述之该第一导体层至少包含一多晶矽层。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该第二导体层至少包含一矽层。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该介电材料至少包含二氧化矽。7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述之该第二导体层至少包含一多晶矽层。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该第三介电层至少包含一二氧化矽层。9.一种形成浅沟渠隔离的方法,至少包含下列步骤:提供一底材,该底材具有一垫氧化层于其上及一第一导体层于该垫氧化层上;形成一第一介电层覆盖该第一导体层;形成一第二导体层覆盖该第一介电层;形成一沟渠进入该第二导体层、该第一介电层、该第一导体层、该垫氧化层与该底材;共形生成一线性氧化层覆盖该沟渠;填满该沟渠以一介电材料以形成一沟渠隔离;移除该第二导体层;形成一第二介电层覆盖该第一介电层与该沟渠隔离;非等向性蚀刻该第二介电层与该第一介电层以曝露出该第一导体层;蚀刻该第一导体层以曝露出该垫氧化层;蚀刻该垫氧化层以曝露出该底材;及氧化该底材。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之该第一导体层至少包含一矽层。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之该第一导体层至少包含一多晶矽层。12.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之该第二导体层至少包含一矽层。13.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之该介电材料至少包含二氧化矽。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之该第二导体层至少包含一多晶矽层。15.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之该第二介电层至少包含一二氧化矽层。16.一种形成浅沟渠隔离的方法,至少包含下列步骤:提供一底材,该底材具有一垫氧化层于其上及一导体层于该垫氧化层上;形成一第一介电层覆盖该导体层;形成一多晶矽层覆盖该第一介电层;形成一沟渠进入该多晶矽层、该第一介电层、该导体层、该垫氧化层与该底材;共形生成一线性氧化层覆盖该沟渠;填满该沟渠以一介电材料以形成一沟渠隔离;移除该多晶矽层;形成一第二介电层覆盖该第一介电层与该沟渠隔离;非等向性蚀刻该第二介电层与该第一介电层以曝露出该导体层;蚀刻该导体层以曝露出该垫氧化层;蚀刻该垫氧化层以曝露出该底材;及氧化该底材。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之该导体层至少包含一矽层。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中上述之该导体层至少包含一多晶矽层。19.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之该介电材料至少包含二氧化矽。20.如申请专利范围第17项所述之方法,其中上述之该导体层至少包含一非晶矽层。图式简单说明:第一A图显示一传统的浅沟渠隔离之剖面图;第一B图显示一传统的浅沟渠隔离之剖面图,此浅沟渠隔离在其转角处有沟槽;第二A图显示一介电层与一导体层依序形成于一底材上的结果;第二B图显示依序形成一介电层与一导体层于第二A图中所示的结构之结果;第二C图显示形成一沟渠进入第二B图中所示的结构与共形生成一介电层于其上的结果;第二D图显示填满沟渠以形成浅沟渠隔离并将浅沟渠隔离平坦化的结果;第二E图显示移除第二D图中所示的顶部导体层并接着形成一介电层于其上之结果;第二F图显示非等向性蚀刻第二E图中所示的结构并形成浅沟渠隔离间隙壁的结果;及第二G图显示完成本发明之浅沟渠隔离并氧化底材之结果。 |
