Halbleiterbaugruppe, die einen Festkörper-Bildsensor mit unterdrückter Änderung der Störstellenkonzentrationsverteilung in einem Halbleitersubstrat hat, und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Fotolitografie wird angewandt, um einen Fotoresist (30) zu bilden, der eine Öffnung über einem Endbereich einer Gatestruktur (15) und über einem Bereich hat, der der Gatestruktur (15) benachbart ist, wo eine Fotodiode (18) zu bilden ist. Dann wird unter Verwendung des Fotoresists (30) als Implantationsmaske eine Vertikalimplantation von N-leitenden Störstellen (31), wie etwa Phosphor, mit einer Energie von 300 bis 600 keV und einer Dosis von 1E12 bis 1E14 Ionen/cm·2· durchgeführt, so daß dadurch ein N-leitender Störstellenbereich (17) in einer oberen Oberfläche einer P-Mulde (11) gebildet wird. Dabei können die N-leitenden Störstellen (31) die Gatestruktur (15) durchdringen und in die P-Mulde (11) eintreten, so daß dadurch der N-leitende Störstellenbereich (17) auch unter der Gatestruktur (15) gebildet werden kann.