Speicherbaustein mit verbesserten elektrischen Eigenschaften

摘要

Es wird ein Speicherbaustein, insbesondere ein DRAM, beschrieben, der ein Speicherzellenfeld mit matrixförmig angeordneten Speicherzellen aufweist. Im Randbereich des Speicherzellenfeldes sind Dummy-Speicherzellen ausgebildet, die nicht zur Abspeicherung von Informationen verwendet werden. Erste Elektroden der Dummy-Speicherzellen werden an Referenzpotential angeschlossen. Die Gegenelektrode der Dummy-Speicherzellen sind mit der Gegenelektrode der Speicherzellen elektrisch verbunden. Auf diese Weise wird die Ladungskapazität der Gegenelektrode der Speicherzellen erhöht. Somit wird der Speicherbaustein insgesamt spannungsstabiler gegenüber einem großen Ladungseintrag in die Speicherzellen.