| 发明名称 | 减少废气排放量的蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 一种减少废气排放量的蚀刻方法。首先，提供为介电质层所覆盖的底材，并将底材放置于耦合至射频电源与C<SUB>3</SUB>F<SUB>8</SUB>源的反应室。然后，在反应室内以低射频功率与低压力形成一等离子体，并以此等离子体蚀刻介电质。最后，终止等离子体的存在并将底材与被蚀刻的介电质层二者移出反应室。 | ||
| 申请公布号 | CN1447399A | 申请公布日期 | 2003.10.08 |
| 申请号 | CN02107943.9 | 申请日期 | 2002.03.22 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 徐国维;曾守亿;洪天爵;吴荣义;陈彦义 |
| 分类号 | H01L21/311;H01L21/3065;C23F4/00 | 主分类号 | H01L21/311 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种减少排放废气量的蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一底材，该底材为一介电质层所覆盖；放置该底材于一反应室中，该反应室耦接至一射频电源与一全氯丙烷应气体源；在该反应室内以低射频功率与低压力的环境形成等离子体；以该等离子体处理该介电质层；以及终止该等离子体的存在并将该底材移出该反应室。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号 | ||