发明名称 | 溅射靶 | ||
摘要 | 本发明在此描述了涉及可被用来形成钛合金溅射靶的新型含钛材料。该钛合金溅射靶可以在含氮空气中进行反应溅射而形成一个TiN合金膜,或者在含氮及含氧的溅射空气中进行溅射,从而形成一个TiON合金膜。与用于薄膜Cu势垒层的TaN相比,根据本发明形成的薄膜可以具有无柱状晶粒结构、低电阻率、高化学稳定性及势垒层特性。另外,对半导体用途来说,根据本发明制造的钛合金溅射靶材料与高纯度钽材料相比有更高费效比并且具有适合高功率溅射用途的出色的机械强度。 | ||
申请公布号 | CN1447864A | 申请公布日期 | 2003.10.08 |
申请号 | CN01814249.4 | 申请日期 | 2001.05.31 |
申请人 | 霍尼韦尔国际公司 | 发明人 | J·李;S·图尔纳;L·尧 |
分类号 | C23C14/34 | 主分类号 | C23C14/34 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 胡强 |
主权项 | 1、一种被用来形成一个与含铜材料有关的势垒层的并含有Ti及一种或多种其标准电极电位小于约-1.0V的合金元素的溅射靶。 | ||
地址 | 美国新泽西州 |