多量子阱红外焦平面光伏探测器的光敏元芯片

摘要

本发明提供了一种多量子阱红外焦平面光伏探测器的光敏元芯片，包括在GaAs衬底上依次生成的下电极层、多量子阱半导体激活层、上电极层、金属上电极。上电极层由可产生固定电荷的Bi₂Ti₂O₇薄膜材料制成，从而形成了由金属层、氧化膜层和半导体激活层组成的MOS结构。该结构在红外光的辐照下，可以在量子阱区域形成比已有的光伏探测器更强的光伏信号和比光导探测器更小的直流暗电流。该专利还介绍了量子阱的具体结构设计、掺杂条件、偏置电压条件等。

主权项

1一种多量子阱红外焦平面光伏探测器的光敏元芯片，包括：在GaAs衬底(2)上依次生长下电极层(3)、对红外光有光电转换作用的多量子阱半导体激活层(4)、上电极层(5)、上电极(6)，其特征在于：多量子阱半导体激活层是由50个周期的势垒和势阱交替生长而成；上电极层由可产生固定电荷的Bi2Ti2O7薄膜材料制成；上电极由AuGeNi/Au材料制成，从而形成了由金属层、Bi2Ti2O7氧化膜层和多量子阱半导体激活层组成的MOS结构。