发明名称 |
半导体存储装置 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体存储装置,能够在用MIS晶体管作为积累电荷的装置的半导体存储装置中,提高数据的写入工作和读出工作的速度。DRAM单元10是为了由在第1晶体管11的沟道中积累电荷,由第2晶体管12和第3晶体管13传送电荷而构成的,通过交互地使用用与第2晶体管12的栅极连接的第1字线WLa和与第2晶体管12的漏极连接的第1位线BLa的路径、和用与第2晶体管12的栅极连接的第1字线WLa和与第2晶体管12的漏极连接的第1位线BLa的路径这样2条路径,可以使数据传输速度高速化。 |
申请公布号 |
CN1447438A |
申请公布日期 |
2003.10.08 |
申请号 |
CN03107392.1 |
申请日期 |
2003.03.25 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
县政志;高桥和也;白滨政则;黑田直喜;贞方博之;西原竜二 |
分类号 |
H01L27/108;G11C11/407 |
主分类号 |
H01L27/108 |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
1.半导体存储装置,它的特征是:备有分别具有第1晶体管、源极或漏极与上述第1晶体管的源极或漏极的一部分连接的第2晶体管、源极或漏极与上述第1晶体管的源极或漏极的其它部分连接的第3晶体管的多个存储单元,上述第1晶体管将从上述第2和第3晶体管传送过来的电荷积累在沟道中。 |
地址 |
日本大阪府 |