制作多晶硅薄膜的方法

摘要

一种制作多晶硅薄膜的方法，该方法包含有下列步骤：于该半导体晶片表面形成一第一栅极氧化层以及一光阻层，进行一湿蚀刻制程以去除该半导体晶片表面的一第一栅极氧化区以外的第一栅极氧化层，然后去除该光阻层并进行若干湿式清洗制程，接着于该半导体晶片表面形成一第二栅极氧化层，最后进行一两阶段式的多晶硅沉积制程，以于第一栅极氧化区以及第二栅极氧化区之上形成一多晶硅层；其中，该两阶段式的多晶硅沉积制程包含一第一阶段低温式的非晶硅沉积制程以及一第二阶段高温式的多晶硅沉积制程，因此本发明可在不增加前制程中清洗步骤的耗费成本之前提下，避免于形成多晶硅层时发生微粒与缺陷的情形。

主权项

1.一种于一半导体晶片上制作一多晶硅薄膜的方法，该半导体晶片表面包含有复数个微粒，其特征是：该方法包含有下列步骤：进行一两阶段式的多晶硅沉积制程，且该两阶段式的多晶硅沉积制程包含有：一第一阶段低温式的非晶硅沉积制程；以及一第二阶段高温式的多晶硅沉积制程；其中该第一阶段低温式的非晶硅沉积制程用来避免该多晶硅薄膜的晶核沿着该半导体晶片表面的复数个微粒长晶，以抑制该多晶硅薄膜表面发生针状微粒与缺陷的情形。