| 发明名称 | 在半导体衬底上制造无源元件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在衬底上制造无源元件的方法。所述方法允许以低水平的复杂性和良好的结果在衬底上制造不同元件，特别是高电阻和低电阻值电阻器元件和/或具有每单位长度高电容的电容器元件和具有每单位长度低电容的电容器元件。特别是在决定性构形的情况下，可大程度地省去卸下工艺，并且可以用选择方式对元件进行干和/或湿化学刻蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN1447985A | 申请公布日期 | 2003.10.08 |
| 申请号 | CN01814189.7 | 申请日期 | 2001.08.01 |
| 申请人 | 单片集成电路半导体两合股份有限公司 | 发明人 | 达格·贝哈莫尔 |
| 分类号 | H01L27/01;H01L21/822 | 主分类号 | H01L27/01 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 楼仙英;曾建成 |
| 主权项 | 1.一种在衬底上制造至少一个薄膜电阻器元件和至少一个电容器元件的方法，其中1a)在衬底(1)上依次淀积第一高电阻值电阻器层(3)、第二低电阻值电阻器层(4)以及接触层(5，7)，如果合适的话，衬底是被钝化的(2)；1b)在接触层(5，7)中形成用于端子和电容器元件的下电极的结构(71-74)；1c)通过刻蚀掉隔离区，分离元件；1d)在接触层(5，7)和电阻器层(4)上施加第一绝缘层(9)；和1e)借助公共掩模在第一绝缘层(9)中形成用于第一电容器和用于第一电阻器的结构(11a，11b)。 | ||
| 地址 | 德国乌耳姆市 | ||