发明名称 | 制造双重镶嵌接触窗的方法 | ||
摘要 | 一种在基底上制造双重镶嵌金属内连线以及接触窗开口结构的方法,包括:在基底上形成一第一氧化层、一第一氮化物层;图案化并蚀刻第一氮化物层以形成一接触窗开口;在接触窗开口及第一氮化物层上形成一第二氧化层;在第二氧化层上形成一光致抗蚀剂层;图案化并显影光致抗蚀剂层以暴露出与该接触窗开口具有不同尺寸的一沟渠开口;以光致抗蚀剂层为掩模,蚀刻第二氧化层,并且以第一氮化物层为掩模,蚀刻第一氧化层,以形成一双重镶嵌开口;移除光致抗蚀剂层;在该双重镶嵌开口中形成一氧化物间隙壁;以及在双重镶嵌开口中沉积一导电层,其中第一氧化层包括由一衬氧化层、一低介电常数介电层以及一盖氧化层所组成。 | ||
申请公布号 | CN1123920C | 申请公布日期 | 2003.10.08 |
申请号 | CN98126568.5 | 申请日期 | 1998.12.30 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 罗吉进;杜友伦 |
分类号 | H01L21/311 | 主分类号 | H01L21/311 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
主权项 | 1.一种在基底上制造双重镶嵌金属内连线以及接触窗开口结构的方法,其步骤包括:在该基底上形成一第一氧化层;在该第一氧化层上形成一第一氮化物层;图案化并蚀刻该第一氮化物层以形成一接触窗开口;在该接触窗开口及该第一氮化物层上形成一第二氧化层;在该第二氧化层上形成一光致抗蚀剂层;图案化并显影该光致抗蚀剂层以暴露出与该接触窗开口具有不同尺寸的一沟渠开口;以该光致抗蚀剂层为掩模,蚀刻该第二氧化层,并且以该第一氮化物层为掩模,蚀刻该第一氧化层,以形成一双重镶嵌开口;移除该光致抗蚀剂层;在该双重镶嵌开口中形成一氧化物间隙壁;以及在该双重镶嵌开口中沉积一导电层,其中该第一氧化层包括由一衬氧化层、一低介电常数介电层以及一盖氧化层所组成。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区 |