发明名称 |
有机/无机异质结光电探测器 |
摘要 |
一种有机/无机异质结光电探测器,由陶瓷管座(1)、透明还氧树脂(2)、金属垫片(3)、芯片(4)及管脚(5)组成,其特征在于芯片(4)是以无机半导体材料p-Si单晶为基底材料层(6),其表面为真空蒸发的有机半导体材料PTCDA层(7);PTCDA层(7)的表面溅射有ITO膜(8);基底材料层(6)的背面为真空蒸发的铝电极层(9)。该光电探测器利用真空蒸发的方法形成有机/无机同型异质结复合层结构,在p-n结的形成原理和方法上明显创新,从而使工艺大大简化,不需要光刻及扩散,因此降低了生产成本,并提高了成品率,经测试:具有对光的带宽(450nm~1100nm)响应宽,量子效率高(光—电转换效率可达100%),适于大批量生产,且在低、高温使用环境稳定性及可靠性好等特点。 |
申请公布号 |
CN2578985Y |
申请公布日期 |
2003.10.08 |
申请号 |
CN02252447.9 |
申请日期 |
2002.08.28 |
申请人 |
兰州大学 |
发明人 |
张福甲;张旭 |
分类号 |
H01L31/00;H01L27/14;G01J1/02 |
主分类号 |
H01L31/00 |
代理机构 |
甘肃省专利服务中心 |
代理人 |
田玉兰 |
主权项 |
1、一种有机/无机异质结光电探测器,由陶瓷管座(1)、透明还氧树脂(2)、金属垫片(3)、芯片(4)及管脚(5)组成,其特征在于:光电探测器的芯片(4)采取有机/无机同型异质结复合层结构,即以无机半导体材料p-Si单晶为基底材料层(6),其表面为真空蒸发的有机半导体材料苝四甲酸二酐PTCDA层(7);有机半导体材料苝四甲酸二酐PTCDA层(7)的表面溅射有ITO膜(8);p-Si单晶基底材料层(6)的背面为真空蒸发的铝电极层(9)。 |
地址 |
730000甘肃省兰州市天水路298号 |