| 发明名称 |
Bi-layer etch stop for inter-level via |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1154467(A3) |
申请公布日期 |
2003.10.08 |
| 申请号 |
EP20010111148 |
申请日期 |
2001.05.10 |
| 申请人 |
APPLIED MATERIALS, INC. |
发明人 |
DIXIT, GIRISH A.;CHEN, FUSEN |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/52;H01L23/522;(IPC1-7):H01L21/268;H01L21/311 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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