发明名称 薄膜结构体的制造方法
摘要 本发明是一种薄膜结构体的制造方法,其目的在提供一种可使用表面无突出部的牺牲膜,来制成薄膜结构体的制造方法,藉此以制作出强度高以及可靠度高的薄膜结构体。此外,为达成前述目的,在利用较既定值更大的膜层厚度形成牺牲膜后,藉由将此牺牲膜表面加以磨削,则在使牺牲膜表面平坦化的同时,牺牲膜的膜层厚度会被调整成既定值。藉此,可除去基底(1)表面凹凸的影响,使牺牲膜表面平坦化。并且,使用该牺牲膜,可制成半导体加速度传感器的质量体(3)、梁(7)以及固定电极(5)。
申请公布号 CN1447988A 申请公布日期 2003.10.08
申请号 CN01814446.2 申请日期 2001.06.21
申请人 三菱电机株式会社 发明人 奥村美香;堀川牧夫;石桥清志
分类号 H01L29/84;G01P15/125 主分类号 H01L29/84
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 温大鹏;郑建晖
主权项 1. 一种薄膜结构体制造方法,薄膜结构体具备有:形成于基底(1)上的支撑部(23b,25a);与前述支撑部形成为一体,且藉由前述支撑部加以支撑,并与前述基底隔着规定间隔而配置的漂移部(21,23a,25b,25c);而此薄膜结构体制造方法的特征在于,包括有:在前述基底上,以比对应于上述规定间隔的既定值更大的膜厚,形成牺牲膜(51)的工序;使前述牺牲膜的表面平坦化的工序;将用以形成前述支撑部的前述牺牲膜的部分加以去除以形成锚栓孔部(51a)的工序;于前述牺牲膜上,以及通过前述锚栓孔部而露出的前述基底上,形成薄膜层(53)的工序;将前述薄膜层选择性地去除而形成图案化,并利用所残留的前述薄膜层的部分以形成前述薄膜结构体(21,23,25)的工序;将前述牺牲膜加以去除的工序。
地址 日本东京都