包含沟槽式电容的半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种包含沟槽式电容的半导体装置及其制造方法，装置包括：一具有沟槽的半导体基底，用以当作第一下电极板，还包括一设置于沟槽内部的第一导电结构，该第一导电结构的底部与半导体基底电性连接，当作第二下电极板；还有一第一介电层，形成于该沟槽的侧壁；一第二导电结构，绝缘地设置于第一导电结构的周围，当作上电极板；还包括一第二介电层，形成于第一导电结构与第二导电结构之间，绝缘第一与第二导电结构；一第三导电结构，设置于该半导体基底的表面，并且与第二导电结构连接。本发明可以在既定的沟槽深度下，依藉在同心环状的介电层填入导电材料而构成并联电容，明显提高了储存电容的容量。

主权项

1.一种包含沟槽式电容的半导体装置，包括：一半导体基底，该基底具有一沟槽，并且其可当作第一下电极板；一第一介电层，形成于该沟槽的侧壁； 一第二导电结构，其当作上电极板；其特征在于，还包括：一第一导电结构，设置于该沟槽的内部，并且该第一导电结构的底部与该半导体基底电性连接，其当作第二下电极板；一第二介电层，形成于该第一导电结构与第二导电结构之间，用来绝缘该第一与第二导电结构；以及一第三导电结构，设置于该半导体基底的表面，并且与该第二导电结构电性连接。