| 摘要 |
<P>L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comportant un film mince de silicium polycristallin (4) et un film mince de silicium monocristallin (5) formés sur un film de SiO2 (2) déposé sur un substrat isolant (1). La croissance d'une couche de silicium polycristallin est réalisée par cristallisation thermique d'un film mince de silicium amorphe (3), pour former le film (4). D'autre part, un substrat en silicium monocristallin (10) comportant, sur lui, un film de SiO2 (11) et, en lui, une partie d'implantation d'ions hydrogène, est lié à une zone du film (4), qui a subi une élimination par attaque, et est soumis à un traitement thermique. Le substrat (10) est ensuite divisé au niveau de la partie d'implantation par une exfoliation, afin de former le film (5). Le dispositif ainsi obtenu est bon marché, de grandes dimensions et comporte un film (5) dont la propriété est stable.L'invention concerne aussi un substrat de type SOI pour ce dispositif et son procédé de fabrication, et un dispositif d'affichage utilisant un tel substrat. </P> |
